DC Field
Value
Language
dc.contributor.author
Isceri, Stefania
-
dc.contributor.author
Giparakis, Miriam
-
dc.contributor.author
Bakali, Emine
-
dc.contributor.author
Beiser, Maximilian
-
dc.contributor.author
Detz, Hermann
-
dc.contributor.author
Schrenk, Werner
-
dc.contributor.author
Strasser, Gottfried
-
dc.contributor.author
Waas, Monika
-
dc.contributor.author
Svagera, Robert
-
dc.contributor.author
Bühler-Paschen, Silke
-
dc.date.accessioned
2022-10-12T11:33:56Z
-
dc.date.available
2022-10-12T11:33:56Z
-
dc.date.issued
2022-05-17
-
dc.identifier.citation
<div class="csl-bib-body"> <div class="csl-entry">Isceri, S., Giparakis, M., Bakali, E., Beiser, M., Detz, H., Schrenk, W., Strasser, G., Waas, M., Svagera, R., &#38; Bühler-Paschen, S. (2022, May 17). <i>Single crystal growth of YbRh2Si2</i> [Conference Presentation]. DGKK/DEMBE 2022, Bremen, Germany. http://hdl.handle.net/20.500.12708/81327</div> </div>
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http://hdl.handle.net/20.500.12708/81327
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dc.language.iso
en
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dc.subject
crystal growth
en
dc.title
Single crystal growth of YbRh2Si2
en
dc.type
Presentation
en
dc.type
Vortrag
de
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Conference Presentation
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Materials Characterization
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Photonics
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60
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E362-01 - Forschungsbereich Optoelektronische Materialien
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0000-0002-2150-6663
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0000-0002-5486-5769
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DGKK/DEMBE 2022
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16-05-2022
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Bremen
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Isceri, Stefania
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Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik
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E362-01 - Forschungsbereich Optoelektronische Materialien
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crisitem.author.dept
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E138-04 - Forschungsbereich Quantum Materials
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E057-12 - Fachbereich Zentrum für Mikro und Nanostrukturen
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E057-12 - Fachbereich Zentrum für Mikro und Nanostrukturen
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E362-01 - Forschungsbereich Optoelektronische Materialien
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E138-50-3 - Fachgruppe Technische Assistenz
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E138-50-3 - Fachgruppe Technische Assistenz
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E138-04 - Forschungsbereich Quantum Materials
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crisitem.author.orcid
0000-0002-3124-7650
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E362 - Institut für Festkörperelektronik
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E362 - Institut für Festkörperelektronik
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