CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik

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Primary Data

Project Acronym Projekt Kurzbezeichnung
NovoMemLog
 
Project Title (de) Projekttitel (de)
CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik
 
Project Title (en) Projekttitel (en)
CD-Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic
 
Consortium Coordinator Koordinator des Konsortiums
 
Principal Investigator Projektleiter_in
 

Grants

Funder/Funding Agency Fördergeber
Christian Doppler Forschungsgesells
Grant number Förderkennnummer
P300686
 

Publications

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PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Bendra-2023-Solid-State Electronics-vor.pdf.jpgBendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor The Influence of Interface Effects on the Switching Behavior in Ultra-Scaled MRAM CellsArticle Artikel Mar-2023
2Sverdlov, Viktor ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Seiler, Heribert ; Kosina, Hans Edge States Dispersion in Narrow Nanoribbons of 2D Transition Metal Dichalcogenides in the 1T′ Topological PhaseInproceedings Konferenzbeitrag12-Feb-2023
3Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Selberherr, Siegfried ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Comprehensive evaluation of torques in ultra-scaled MRAM devicesArticle Artikel Jan-2023
4Bendra, Mario ; Loch, Wilton Jaciel ; Jorstad, Nils Petter ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Gös, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Modeling Ultra-Scaled Multi-Layer STT-MRAM Cells: A Unified Spin and Charge Drift-Diffusion ApproachInproceedings Konferenzbeitrag 7-Dec-2022
5Fiorentini, Simone ; Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Spin and charge drift-diffusion in ultra-scaled MRAM cellsArticle Artikel 5-Dec-2022
6Fiorentini-2022-Scientific Reports-vor.pdf.jpgFiorentini, Simone ; Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Spin and charge drift-diffusion in ultra-scaled MRAM cellsArticle Artikel 5-Dec-2022
7Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Hadamek, Tomas ; Loch, Wilton Jaciel ; Jorstad, Nils Petter ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Advanced Modeling of Emerging Magneto-resistive MemoryInproceedings Konferenzbeitrag15-Aug-2022
8Sverdlov, Viktor ; Jutong, Nuttachai Magnetic and Spin DevicesBook BuchApr-2022
9Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor The influence of interface effects on the switching behavior in ultra-scaled MRAM cellsArticle Artikel Mar-2022
10Sverdlov, Viktor ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Seiler, Heribert ; Kosina, Hans Edge State Band Gap Dependencies on the Width of Transition Metal Dichalcogenide Nanoribbons in the 1T′ Topological PhaseInproceedings Konferenzbeitrag2022
11Fiorentini, Simone ; Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Evaluating Spin Transfer Torques in Multilayered Magnetic Tunnel Junctions and Spin ValvesInproceedings Konferenzbeitrag2022
12Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Spin Transfer Torque Evaluation Based on Coupled Spin and Charge Transport: A Finite Element Method ApproachArticle Artikel 2022
13Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried ; Rudan, Massimo ; Brunetti, Rossella ; Reggiani, Susanna Spin-Based Devices for Digital ApplicationsBook Contribution Buchbeitrag 2022