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Lutzer, Bernhard
 
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1Zimmermann, Christian ; Bethge, Ole ; Lutzer, Bernhard ; Bertagnolli, Emmerich Platinum-assisted post deposition annealing of the n-Ge/Y₂O₃ interfaceArticle Artikel 2022
2Busetti, Bernhard ; Lutzer, Bernhard ; Stampfl, Jürgen Development of a hybrid exposure system for lithography-based additive manufacturing technologiesKonferenzbeitrag Inproceedings2018
3Busetti, Bernhard ; Steyrer, Bernhard ; Lutzer, Bernhard ; Reiter, Rafael ; Stampfl, Jürgen A hybrid exposure concept for lithography-based additive manufacturingArtikel Article 2018
4Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Smoliner, Jürgen ; Bertagnolli, Emmerich In situ resistance measurements during physical vapor deposition of ultrathin metal films on Si(111) at room temperatureArtikel Article 2017
5Zimmermann, C. ; Bethge, O. ; Winkler, K. ; Lutzer, B. ; Bertagnolli, E. Improving the ALD-grown Y2O3/Ge interface quality bysurface and annealing treatmentsArtikel Article 2016
6Lutzer, B. ; Simsek, S. ; Zimmermann, C. ; Stoeger-Pollach, M. ; Bethge, O. ; Bertagnolli, E. Linearity optimization of atomic layer deposited ZrO2 metal-insulator-metal capacitors by inserting interfacial Zr-doped chromia layersArtikel Article 2016
7Lutzer Bernhard - 2016 - Schottky barrier MOSFETs with atomic layer grown high-k...pdf.jpgLutzer, Bernhard Schottky barrier MOSFETs with atomic layer grown high-k oxides and ultrathin metal-interlayers on silicon (111)Thesis Hochschulschrift 2016
8Bethge, Ole ; Lutzer, Bernhard ; Kaur, Jatinder ; Bertagnolli, Emmerich Regrowth of GeO2 in between Atomic Layer Deposited high-k oxides and Ge surfaces for improving the interface trap densityKonferenzbeitrag Inproceedings2015
9Zimmermann, Christina ; Bethge, Ole ; Lutzer, Bernhard ; Bertagnolli, Emmerich Electrical Characterization of Yttrium Oxide grown by Atomic Layer Deposition for Germanium based MOS DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2015
10Bethge, Ole ; Lutzer, Bernhard ; Kaur, Jatinder ; Bertagnolli, Emmerich Pathways for lowering the Interface Trap Density in Ge based MOS DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2015
11Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Hummer, Markus ; Hutter, Herbert ; Stöger-Pollach, Michael ; Bertagnolli, Emmerich ALD grown bilayer gate stacks for Schottky-barrier Si and Ge MOSFETKonferenzbeitrag Inproceedings2015
12Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Bertagnolli, Emmerich Schottky-barrier Si and Ge MOSFETs with ALD grown bilayer gate dielectricsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
13Lutzer, B. ; Hummer, M. ; Simsek, S. ; Zimmermann, C. ; Amsuess, A. ; Hutter, H. ; Detz, H. ; Stoeger-Pollach, M. ; Bethge, O. ; Bertagnolli, E. Rhodium Germanide Schottky Barrier ContactsArtikel Article 2015
14Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Simsek, Sinan ; Smoliner, Jürgen ; Bertagnolli, Emmerich Characterization of Ultra-Thin Metal on Silicon Structures for Future Field Effect DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
15Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Simsek, Sinan ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ALD Grown Rare-Earth High-k Oxides on Ge: Lowering of the Interface Trap Density and EOT ScalabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2014
16Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Simsek, Sinan ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ALD Grown Rare-Earth High-k Oxides on Ge: Lowering of the Interface Trap Density and EOT ScalabilityArtikel Article2014
17Bethge, O. ; Zimmermann, C. ; Lutzer, B. ; Simsek, S. ; Smoliner, J. ; Stöger-Pollach, M. ; Henkel, C. ; Bertagnolli, E. Effective reduction of trap density at the Y203/Ge interface by rigorous high-temperature oxygen annealingArtikel Article 2014
18Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich ALD-grown Rare Earth Oxides: Effective Passivation of the Germanium Channel in MOS devicesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
19Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Bertagnolli, Emmerich Ohmic contacts for resistance measurements of ultra-thin metal-on-silicon layersPräsentation Presentation2013
20Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich Electrical and Physical Characterization of Interfacial Germanates in Ge-based MOS devicesPräsentation Presentation2013