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Groeseneken, Guido
 

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1Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; Claes, Dieter ; Rzepa, Gerhard ; Roussel, Philippe J. ; Collaert, Nadine ; Groeseneken, Guido ; Linten, Dimitri ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Accelerated Capture and Emission (ACE) Measurement Pattern for Efficient BTI Characterization and ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2019
2Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav ; Stanojevic, Zlatan ; Makarov, Alexander ; Chasin, Adrian ; Bury, Erik ; Mertens, Hans ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Full ($V_{\mathrm{g}},\ V_{\mathrm{d}}$) Bias Space Modeling of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
3Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Stanojevic, Zlatan ; Tyaginov, Stanislav ; Makarov, Alexander ; Chasin, Adrian ; Mertens, Hans ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Distribution Function Based Simulations of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
4Franco, Jacopo ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe J. ; Bury, Erik ; Mertens, Hans ; Ritzenthaler, Romain ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, Naoto ; Thean, Aaron ; Groeseneken, Guido NBTI in Si<inf>0.55</inf>Ge<inf>0.45</inf> cladding p-FinFETs: Porting the superior reliability from planar to 3D architecturesKonferenzbeitrag Inproceedings2015
5Kaczer, Ben ; Franco, Jacopo ; Roussel, Philippe J. ; Groeseneken, Guido ; Chiarella, Thomas ; Horiguchi, Naoto ; Grasser, Tibor Extraction of The Random Component of Time-Dependent Variability Using Matched PairsArtikel Article2015
6Boschke, Roman ; Linten, D ; Hellings, Geert ; Chen, S.-H. ; Scholz, M ; Mitard, J. ; Mertens, H. ; Witters, L. ; Van Campenhout, Joris ; Verheyen, Peter ; Pogany, Dionyz ; Groeseneken, Guido ESD Characterization of Germanium diodesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
7Camargo, Vinicius V. A. ; Kaczer, Ben ; Wirth, Gilson ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, Guido Use of SSTA Tools for Evaluating BTI Impact on Combinational CircuitsArtikel Article2013
8Franco, Jacopo ; Kaczer, Ben ; Mitard, Jerome ; Toledano-Luque, Maria ; Roussel, Philippe J. ; Witters, Liesbeth ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, Guido NBTI Reliability of SiGe and Ge Channel pMOSFETs With SiO2/HfO2 Dielectric StackArtikel Article2013
9Franco, Jacopo ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe J. ; Mitard, Jérôme ; Cho, Moonju ; Witters, Liesbeth ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, Guido SiGe Channel Technology: Superior Reliability Toward Ultrathin EOT Devices-Part I: NBTIArtikel Article2013
10Franco, Jacopo ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, María ; Roussel, Philippe J. ; Kauerauf, Thomas ; Mitard, Jérôme ; Witters, Liesbeth ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, Guido SiGe Channel Technology: Superior Reliability Toward Ultra-Thin EOT Devices-Part II: Time-Dependent Variability in Nanoscaled Devices and Other Reliability IssuesArtikel Article2013
11Toledano-Luque, María ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Roussel, Philippe J. ; Franco, Jacopo ; Groeseneken, Guido Toward a Streamlined Projection of Small Device Bias Temperature Instability Lifetime DistributionsArtikel Article2013
12Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Roussel, Philippe J. ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Weckx, P. ; Groeseneken, Guido Degradation of time dependent variability due to interface state generationKonferenzbeitrag Inproceedings 2013
13Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Fernandez, Raul ; Groeseneken, Guido Toward Understanding the Wide Distribution of Time Scales in Negative Bias Temperature InstabilityBuchbeitrag Book Contribution2007