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Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/76654
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Titel: 
Distribution Function Based Simulations of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETs
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Zitat: 
Vandemaele, M., Kaczer, B., Stanojevic, Z., Tyaginov, S., Makarov, A., Chasin, A., Mertens, H., Linten, D., & Groeseneken, G. (2018). Distribution Function Based Simulations of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETs. In 2018 International Integrated Reliability Workshop (IIRW). IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), South Lake Tahoe, CA, United States of America (the). https://doi.org/10.1109/iirw.2018.8727081
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Verlags-DOI: 
10.1109/iirw.2018.8727081
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Full-Paper Contribution
de
Autor_innen: 
Vandemaele, Michiel 
Kaczer, Ben 
Stanojevic, Zlatan 
Tyaginov, Stanislav 
Makarov, Alexander 
Chasin, Adrian 
Mertens, Hans 
Linten, Dimitri 
Groeseneken, Guido 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Erschienen in: 
2018 International Integrated Reliability Workshop (IIRW) 
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Datum (veröffentlicht): 
2018
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Veranstaltungs­name: 
IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) 
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Veranstaltungs­zeitraum: 
1-Jan-2018
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Veranstaltungs­ort: 
South Lake Tahoe, CA, Vereinigte Staaten von Amerika
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Umfang: 
4
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Peer Reviewed: 
Ja
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Forschungs­schwerpunkte: 
Quantum Modelling and Simulation: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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