Name Card

Full name Familienname, Vorname
Franco, J.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-20 of 76 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Franco, J. ; Arimura, H. ; de Marneffe, J.-F. ; Vandooren, A. ; Ragnarsson, L.-A ; Wu, Z. ; Claes, D. ; Litta, E. Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, K. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Novel low thermal budget gate stack solutions for BTI reliability in future Logic Device technologies : Invited paperKonferenzbeitrag Inproceedings2021
2Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Kimura, Y ; Nyns, L ; Wu, Zhicheng ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; Claes, Dieter ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Afanas´Ev, V. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Atomic Hydrogen Exposure to Enable High-Quality Low-Temperature SiO<sub>2</sub> with Excellent pMOS NBTI Reliability Compatible with 3D Sequential Tier StackingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
3Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Claes, Dieter ; Litta, Eugenio Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, Kristof ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment for Superior NBTI Reliability -- Demonstration and Modeling across SiO2 IL Thicknesses from 1.8 to 0.6 nm for I/O and Core LogicKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
4Grasser, T. ; O'Sullivan, B. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Stampfer, B. ; Waltl, M. CV Stretch-Out Correction after Bias Temperature Stress: Work-Function Dependence of Donor-/Acceptor-Like Traps, Fixed Charges, and Fast StatesKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
5Kruv, A. ; Kaczer, B. ; Grill, A ; Gonzalez, M. ; Franco, J. ; Linten, D. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; De Wolf, I. On the impact of mechanical stress on gate oxide trappingKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
6Tyaginov, S. E. ; Chasin, A ; Makarov, Alexander ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Vandemaele, Michiel ; Franco, J. ; Linten, D ; Kaczer, Ben Physics-based Modeling of Hot-Carrier Degradation in Ge NWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
7O'Sullivan, B.J. ; Ritzenthaler, R. ; Rzepa, G. ; Wu, Z. ; Litta, E. Dentoni ; Richard, O. ; Conard, T. ; Machkaoutsan, V. ; Fazan, P. ; Kim, C. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Spessot, A. ; Linten, D ; Horiguchi, N. Gate-Stack Engineered NBTI Improvements in Highvoltage Logic-For-Memory High-ĸ/Metal Gate DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2019
8Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Claes, D. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Low Thermal Budget Dual-Dipole Gate Stacks Engineered for Sufficient BTI Reliability in Novel Integration SchemesKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
9Wu, Zhicheng ; Franco, J. ; Vandooren, Anne ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Rzepa, Gerhard ; Grasser, Tibor Improved PBTI Reliability in Junction-Less FET Fabricated at Low Thermal Budget for 3-D Sequential IntegrationArtikel Article 2019
10Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A. ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Work-Function Metal on the Charge Trapping Component of NBTI and PBTIArtikel Article 2019
11Jech, M. ; Tyaginov, S. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Jabs, D. ; Jungemann, C. ; Waltl, M. ; Grasser, T. First–Principles Parameter–Free Modeling of n– and p–FET Hot–Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
12Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Metal Work-Function on the Charge Trapping Component of BTIKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
13Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Ragnarsson, L. -A ; Hellings, G. ; Brus, S. ; Cott, D. ; De Heyn, V. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Ryckaert, J. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. BTI Reliability Improvement Strategies in Low Thermal Budget Gate Stacks for 3D Sequential IntegrationKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
14Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph.J. ; Putcha, V. ; Bury, E. ; Simicic, M. ; Chasin, A. ; Linten, D. ; Parvais, B. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Waltl, M. ; Grasser, T. A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent VariabilityArtikel Article 2018
15Rzepa, G. ; Franco, J. ; O’Sullivan, B. ; Subirats, A. ; Simicic, M. ; Hellings, G. ; Weckx, P. ; Jech, M. ; Knobloch, T. ; Waltl, M. ; Roussel, P.J. ; Linten, D. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Comphy -- A Compact-Physics Framework for Unified Modeling of BTIArtikel Article 2018
16Tyaginov, S. E. ; Makarov, A. A. ; Jech, M. ; Vexler, M. I. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Physical Principles of Self-Consistent Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal-Oxide-Semiconductor StructuresArtikel Article 2018
17Kaczer, Ben ; Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Chasin, A ; Putcha, Vamsi ; Bury, E. ; Simicic, Marko ; Roussel, Ph. J. ; Hellings, Geert ; Veloso, A. ; Matagne, Ph ; Grasser, Tibor ; Linten, D Benchmarking Time-Dependent Variability of Junctionless Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
18Chasin, A ; Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Putcha, Vamsi ; Weckx, P. ; Ritzenthaler, Romain ; Mertens, H. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Rzepa, Gerhard BTI Reliability and Time-Dependent Variability of Stacked Gate-All-Around Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
19Franco, J. ; Putcha, V. ; Vais, A. ; Sioncke, S. ; Waldron, N. ; Zhou, D. ; Rzepa, G. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Heyns, M. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)Konferenzbeitrag Inproceedings 2017
20Waltl, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; Goes, W. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Witters, L. ; Mitard, J. ; Horiguchi, N. ; Grasser, T. Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part I: ExperimentalArtikel Article 2017