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Puchner, Helmut
 
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1Sheikholeslami, Alireza ; Parhami, Farnaz ; Puchner, Helmut ; Selberherr, Siegfried Planarization of Silicon Dioxide and Silicon Nitride Passivation LayersArtikel Article2007
2Sheikholeslami, Alireza ; Parhami, Farnaz ; Puchner, H ; Selberherr, Siegfried Planarization of Silicon Dioxide and Silicon Nitride Passivation LayersKonferenzbeitrag Inproceedings2006
3Sheikholeslami, Alireza ; Selberherr, Siegfried ; Parhami, Farnaz ; Puchner, H Planarization of Passivation Layers during Manufacturing Processes of Image SensorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
4Wittmann, Robert ; Puchner, H ; Ceric, Hajdin ; Selberherr, Siegfried Impact of Random Bit Values on NBTI Lifetime of an SRAM CellKonferenzbeitrag Inproceedings2006
5Sheikholeslami, Alireza ; Heinzl, Rene ; Holzer, Stefan ; Heitzinger, Clemens ; Spevak, Michael ; Leicht, M. ; Häberlen, O. ; Fugger, J. ; Badrieh, Fuad ; Parhami, Farnaz ; Puchner, H ; Grasser, Tibor ; Selberherr, Siegfried Applications of Two- and Three-Dimensional General Topography Simulator in Semiconductor Manufacturing ProcessesKonferenzbeitrag Inproceedings2006
6Sheikholeslami, Alireza ; Al-Ani, Elaf ; Heinzl, Rene ; Heitzinger, Clemens ; Parhami, Farnaz ; Badrieh, Fuad ; Puchner, Helmut ; Grasser, Tibor ; Selberherr, Siegfried Level Set Method Based General Topography Simulator and its Application in Interconnect ProcessesKonferenzbeitrag Inproceedings2005
7Wittmann, Robert ; Puchner, Helmut ; Hinh, L ; Ceric, Hajdin ; Gehring, Andreas ; Selberherr, Siegfried Simulation of Dynamic NBTI Degradation for a 90 nm CMOS TechnologyKonferenzbeitrag Inproceedings2005
8Sheikholeslami, A. ; Parhami, F. ; Heinzl, R. ; Al-Ani, E. ; Heitzinger, C. ; Badrieh, F. ; Puchner, H. ; Grasser, T. ; Selberherr, S. Applications of Three-Dimensional Topography Simulation in the Design of Interconnect LinesKonferenzbeitrag Inproceedings2005
9Wittmann, Robert ; Puchner, H ; Hinh, L ; Ceric, Hajdin ; Gehring, Andreas ; Selberherr, Siegfried Impact of NBTI-driven Parameter Degradation on Lifetime of a 90nm p-MOSFETKonferenzbeitrag Inproceedings2005
10Sheikholeslami, Alireza ; Heitzinger, Clemens ; Puchner, Helmut ; Badrieh, Fuad ; Selberherr, Siegfried Simulation of Void Formation in Interconnect LinesPräsentation Presentation2003
11Puchner, Helmut Process integration for deep-submicron CMOS technologyThesis Hochschulschrift2001
12Martins, Rui ; Puchner, Helmut ; Selberherr, Siegfried ; Simlinger, Thomas ; Tuppa, Walter VISTA Status Report June 1996Bericht Report1996
13Mlekus, Robert ; Pichler, Christoph ; Puchner, Helmut ; Selberherr, Siegfried ; Tuppa, Walter VISTA Status Report June 1995Bericht Report1995
14Halama, S. ; Fasching, F. ; Fischer, C. ; Kosina, H. ; Leitner, E. ; Lindorfer, P. ; Pichler, Ch. ; Pimingstorfer, H. ; Puchner, H. ; Rieger, G. ; Schrom, G. ; Simlinger, T. ; Stiftinger, M. ; Stippel, H. ; Strasser, E. ; Tuppa, W. ; Wimmer, K. ; Selberherr, S. The Viennese Integrated System for Technology CAD ApplicationsArtikel Article1995
15Stippel, H. ; Leitner, E. ; Pichler, Ch. ; Puchner, H. ; Strasser, E. ; Selberherr, S. Process Simulation for the 1990sArtikel Article1995
16Puchner, H. ; Selberherr, S. An Advanced Model for Dopant Diffusion in PolysiliconArtikel Article1995
17Puchner, Helmut ; Selberherr, Siegfried A Two-Dimensional Dopant Diffusion Model for PolysiliconKonferenzbeitrag Inproceedings1995
18Puchner, Helmut ; Selberherr, Siegfried Simulation of Ion Implantation Using the Four-Parameter Kappa Distribution FunctionKonferenzbeitrag Inproceedings1995
19Puchner, Helmut ; Selberherr, Siegfried Dynamic Grain-Growth and Static Clustering Effects on Dopant Diffusion in PolysiliconKonferenzbeitrag Inproceedings1994
20Halama, S. ; Fasching, F. ; Fischer, C. ; Kosina, H. ; Leitner, E. ; Pichler, Ch. ; Pimingstorfer, H. ; Puchner, H. ; Rieger, G. ; Schrom, G. ; Simlinger, T. ; Stiftinger, M. ; Stippel, H. ; Strasser, E. ; Tuppa, W. ; Wimmer, K. ; Selberherr, S. The Viennese Integrated System for Technology CAD ApplicationsKonferenzbeitrag Inproceedings1993