Name Card

Full name Familienname, Vorname
Roussel, Ph. J.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-20 of 32 (Search time: 0.006 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Kaczer, Ben ; Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Chasin, A ; Putcha, Vamsi ; Bury, E. ; Simicic, Marko ; Roussel, Ph. J. ; Hellings, Geert ; Veloso, A. ; Matagne, Ph ; Grasser, Tibor ; Linten, D Benchmarking Time-Dependent Variability of Junctionless Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
2Franco, J. ; Putcha, V. ; Vais, A. ; Sioncke, S. ; Waldron, N. ; Zhou, D. ; Rzepa, G. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Heyns, M. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)Konferenzbeitrag Inproceedings 2017
3Kaczer, Ben ; Amoroso, S. M. ; Hussin, Razaidi ; Asenov, A ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Rzepa, Gerhard ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. On the distribution of the FET threshold voltage shifts due to individual charged gate oxide defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
4Kaczer, B. ; Franco, J. ; Cho, M. ; Grasser, T. ; Roussel, Ph. J. ; Tyaginov, S. ; Bina, M. ; Wimmer, Y. ; Procel, L. M. ; Trojman, L. ; Crupi, F. ; Pitner, G. ; Putcha, V. ; Weckx, P. ; Bury, E. ; Ji, Z. ; De Keersgieter, A. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Thean, A. Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
5Kaczer, B. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Bury, E. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Linten, D. ; Groeseneken, G. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Rzepa, G. ; Goes, W. ; Grasser, T. The defect-centric perspective of device and circuit reliability — From individual defects to circuitsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
6Kaczer, Ben ; Chen, C. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Watt, J. T. ; Chanda, K. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Maximizing reliable performance of advanced CMOS circuits-A case studyKonferenzbeitrag Inproceedings2014
7Franco, J. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Sioncke, S. ; Witters, L. ; Mertens, H. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Understanding the suppressed charge trapping in relaxed- and strained-Ge/SiO<inf>2</inf>/HfO<inf>2</inf> pMOSFETs and implications for the screening of alternative high-mobility substrate/dielectric CMOS gate stacksKonferenzbeitrag Inproceedings2013
8Weckx, P. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Groeseneken, G. Defect-based Methodology for Workload-dependent Circuit Lifetime Projections - Application to SRAMKonferenzbeitrag Inproceedings2013
9Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Schwarz, Benedikt ; Bina, Markus ; Waltl, Michael ; Wagner, Paul-Jürgen ; Grasser, Tibor Reduction of the BTI Time-Dependent Variability in Nanoscaled MOSFETs by Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2013
10Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
11Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Asenov, A ; Groeseneken, G. Impact of Individual Charged Gate-Oxide Defects on the Entire ID -VG Characteristic of Nanoscaled FETsArtikel Article2012
12Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Simoen, E. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Correlation of Single Trapping and Detrapping Effects in Drain and Gate Currents of Nanoscaled nFETs and pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
13Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
14Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Grasser, Tibor ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Reliability of SiGe Channel MOSKonferenzbeitrag Inproceedings2012
15Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Asenov, A ; Schwarz, Benedikt ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. The Relevance of Deeply-Scaled FET Threshold Voltage Shifts for Operation LifetimesKonferenzbeitrag Inproceedings2012
16Toledano-Luque, M. ; Kaczer, B. ; Simoen, E. ; Roussel, Ph. J. ; Veloso, A. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Temperature and Voltage Dependences of the Capture and Emission Times of Individual Traps in High-k DielectricsArtikel Article2011
17Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Franco, J. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Cho, M. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. Recent Trends in Bias Temperature InstabilityArtikel Article2011
18Toledano-Luque, M. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. J. ; Franco, J. ; Ragnarsson, L. Å. ; Grasser, T. ; Groeseneken, G. Depth Localization of Positive Charge Trapped in Silicon Oxynitride Field Effect Transistors after Positive and Negative Gate Bias Temperature StressArtikel Article2011
19Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. From Mean Values to Distributions of BTI Lifetime of Deeply Scaled FETs Through Atomistic Understanding of the DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings2011
20Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Franco, J. ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Camargo, V. V. A. ; Mahato, S. ; Simoen, E. ; Catthoor, F. ; Wirth, G.I. ; Groeseneken, G. Recent Trends in CMOS Reliability: From Individual Traps to Circuit SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2011