Name Card

Full name Familienname, Vorname
Horiguchi, N.
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-20 of 23 (Search time: 0.001 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Franco, J. ; Arimura, H. ; de Marneffe, J.-F. ; Vandooren, A. ; Ragnarsson, L.-A ; Wu, Z. ; Claes, D. ; Litta, E. Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, K. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Novel low thermal budget gate stack solutions for BTI reliability in future Logic Device technologies : Invited paperKonferenzbeitrag Inproceedings2021
2Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Kimura, Y ; Nyns, L ; Wu, Zhicheng ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; Claes, Dieter ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Afanas´Ev, V. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Atomic Hydrogen Exposure to Enable High-Quality Low-Temperature SiO<sub>2</sub> with Excellent pMOS NBTI Reliability Compatible with 3D Sequential Tier StackingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
3Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Claes, Dieter ; Litta, Eugenio Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, Kristof ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment for Superior NBTI Reliability -- Demonstration and Modeling across SiO2 IL Thicknesses from 1.8 to 0.6 nm for I/O and Core LogicKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
4O'Sullivan, B.J. ; Ritzenthaler, R. ; Rzepa, G. ; Wu, Z. ; Litta, E. Dentoni ; Richard, O. ; Conard, T. ; Machkaoutsan, V. ; Fazan, P. ; Kim, C. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Spessot, A. ; Linten, D ; Horiguchi, N. Gate-Stack Engineered NBTI Improvements in Highvoltage Logic-For-Memory High-ĸ/Metal Gate DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2019
5Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Claes, D. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Low Thermal Budget Dual-Dipole Gate Stacks Engineered for Sufficient BTI Reliability in Novel Integration SchemesKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
6Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A. ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Work-Function Metal on the Charge Trapping Component of NBTI and PBTIArtikel Article 2019
7Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Ragnarsson, L.-A ; Dekkers, H. ; Vandooren, A. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. On the Impact of the Gate Metal Work-Function on the Charge Trapping Component of BTIKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
8Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Ragnarsson, L. -A ; Hellings, G. ; Brus, S. ; Cott, D. ; De Heyn, V. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Ryckaert, J. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. BTI Reliability Improvement Strategies in Low Thermal Budget Gate Stacks for 3D Sequential IntegrationKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
9Chasin, A ; Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Putcha, Vamsi ; Weckx, P. ; Ritzenthaler, Romain ; Mertens, H. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Rzepa, Gerhard BTI Reliability and Time-Dependent Variability of Stacked Gate-All-Around Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
10Waltl, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; Goes, W. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Witters, L. ; Mitard, J. ; Horiguchi, N. ; Grasser, T. Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part I: ExperimentalArtikel Article 2017
11Waltl, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; Goes, W. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Witters, L. ; Mitard, J. ; Horiguchi, N. ; Grasser, T. Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part II: TheoryArtikel Article 2017
12Kaczer, B. ; Franco, J. ; Tyaginov, S. ; Jech, M. ; Rzepa, G. ; Grasser, T. ; O'Sullivan, B. J. ; Ritzenhaler, R. ; Schram, T. ; Spessot, A. ; Linten, D. ; Horiguchi, N. Mapping of CMOS FET Degradation in Bias Space--Application to Dram Peripheral DevicesArtikel Article 2017
13Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Subirats, A ; Jech, Markus ; Chasin, A ; Grill, Alexander ; Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Stampfer, Bernhard ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Ragnarsson, L. A. ; Linten, D ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Efficient Physical Defect Model Applied to PBTI in High-κ StacksKonferenzbeitrag Inproceedings2017
14Rzepa, Gerhard ; Waltl, Michael ; Gös, Wolfgang ; Kaczer, Ben ; Franco, J. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Grasser, Tibor Complete Extraction of Defect Bands Responsible for Instabilities in n and pFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
15Kaczer, Ben ; Amoroso, S. M. ; Hussin, Razaidi ; Asenov, A ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Rzepa, Gerhard ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. On the distribution of the FET threshold voltage shifts due to individual charged gate oxide defectsKonferenzbeitrag Inproceedings2016
16Gerrer, Louis ; Hussin, Razaidi ; Amoroso, Salvatore M. ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Simicic, M. ; Horiguchi, N. ; Kaczer, Ben ; Grasser, T. ; Asenov, Asen Experimental evidences and simulations of trap generation along a percolation pathKonferenzbeitrag Inproceedings2015
17Kaczer, B. ; Franco, J. ; Cho, M. ; Grasser, T. ; Roussel, Ph. J. ; Tyaginov, S. ; Bina, M. ; Wimmer, Y. ; Procel, L. M. ; Trojman, L. ; Crupi, F. ; Pitner, G. ; Putcha, V. ; Weckx, P. ; Bury, E. ; Ji, Z. ; De Keersgieter, A. ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Thean, A. Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
18Bury, E. ; Degraeve, R. ; Cho, M. ; Kaczer, Ben ; Gös, Wolfgang ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Study of (correlated) trap sites in SILC, BTI and RTN in SiON and HKMG DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
19Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Mitard, J. ; Toledano-Luque, M. ; Crupi, F. ; Eneman, G. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Cho, M. ; Kauerauf, T. ; Witters, L. ; Hellings, Geert ; Ragnarsson, L. A. ; Horiguchi, N. ; Heyns, Marc M. ; Groeseneken, G. Superior reliability and reduced Time-Dependent variability in high-mobility SiGe channel pMOSFETs for VLSI logic applicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
20Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012