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Linten, D
 

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1Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Claes, Dieter ; Litta, Eugenio Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, Kristof ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment for Superior NBTI Reliability -- Demonstration and Modeling across SiO2 IL Thicknesses from 1.8 to 0.6 nm for I/O and Core LogicKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
2Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Kimura, Y ; Nyns, L ; Wu, Zhicheng ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; Claes, Dieter ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Afanas´Ev, V. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Atomic Hydrogen Exposure to Enable High-Quality Low-Temperature SiO<sub>2</sub> with Excellent pMOS NBTI Reliability Compatible with 3D Sequential Tier StackingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
3Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Simulation Study: the Effect of Random Dopants and Random Traps on Hot-Carrier Degradation in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
4Tyaginov, S. E. ; Chasin, A ; Makarov, Alexander ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Vandemaele, Michiel ; Franco, J. ; Linten, D ; Kaczer, Ben Physics-based Modeling of Hot-Carrier Degradation in Ge NWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
5O'Sullivan, B.J. ; Ritzenthaler, R. ; Rzepa, G. ; Wu, Z. ; Litta, E. Dentoni ; Richard, O. ; Conard, T. ; Machkaoutsan, V. ; Fazan, P. ; Kim, C. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Spessot, A. ; Linten, D ; Horiguchi, N. Gate-Stack Engineered NBTI Improvements in Highvoltage Logic-For-Memory High-ĸ/Metal Gate DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2019
6Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Stochastic Modeling of Hot-Carrier Degradation in nFinFETs Considering the Impact of Random Traps and Random DopantsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
7Kaczer, Ben ; Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Chasin, A ; Putcha, Vamsi ; Bury, E. ; Simicic, Marko ; Roussel, Ph. J. ; Hellings, Geert ; Veloso, A. ; Matagne, Ph ; Grasser, Tibor ; Linten, D Benchmarking Time-Dependent Variability of Junctionless Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
8Chasin, A ; Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Putcha, Vamsi ; Weckx, P. ; Ritzenthaler, Romain ; Mertens, H. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Rzepa, Gerhard BTI Reliability and Time-Dependent Variability of Stacked Gate-All-Around Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
9Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Subirats, A ; Jech, Markus ; Chasin, A ; Grill, Alexander ; Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Stampfer, Bernhard ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Ragnarsson, L. A. ; Linten, D ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Efficient Physical Defect Model Applied to PBTI in High-κ StacksKonferenzbeitrag Inproceedings2017
10Boschke, Roman ; Linten, D ; Hellings, Geert ; Chen, S.-H. ; Scholz, M ; Mitard, J. ; Mertens, H. ; Witters, L. ; Van Campenhout, Joris ; Verheyen, Peter ; Pogany, Dionyz ; Groeseneken, Guido ESD Characterization of Germanium diodesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
11Chen, S.-H. ; Griffoni, A ; Srivastava, P ; Linten, D ; Thijs, S ; Scholz, M ; Denis, Marcon ; Gallerano, A ; Lafonteese, D ; Concannon, A ; Vashchenko, V.A. ; Hopper, P ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Van Hove, Marleen ; Decoutere, S. ; Groeseneken, G. HBM ESD Robustness of GaN-on-Si Schottky DiodesArtikel Article Dec-2012
12Chen, S.-H. ; Griffoni, A ; Srivastava, P ; Linten, D ; Thijs, S ; Scholz, M ; Marcon, D ; Gallerano, A ; Lafonteese, D ; Concannon, A ; Vashchenko, V.A. ; Hopper, P ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Van Hove, M ; Decoutere, S. ; Groeseneken, G. HBM ESD Robustness of GaN-on-Si Schottky DiodesKonferenzbeitrag Inproceedings2011