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Zimmermann, Christina
 
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1Zimmermann, Christina Physikalische und elektrische Charakterisierung von ALD-gewachsenen High-k Dielektrika in Germanium-basierten Schottky-Barrieren pMOSFET BauelementenThesis Hochschulschrift2018
2Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Smoliner, Jürgen ; Bertagnolli, Emmerich In situ resistance measurements during physical vapor deposition of ultrathin metal films on Si(111) at room temperatureArtikel Article 2017
3Zimmermann, C. ; Bethge, O. ; Winkler, K. ; Lutzer, B. ; Bertagnolli, E. Improving the ALD-grown Y2O3/Ge interface quality bysurface and annealing treatmentsArtikel Article 2016
4Lutzer, B. ; Simsek, S. ; Zimmermann, C. ; Stoeger-Pollach, M. ; Bethge, O. ; Bertagnolli, E. Linearity optimization of atomic layer deposited ZrO2 metal-insulator-metal capacitors by inserting interfacial Zr-doped chromia layersArtikel Article 2016
5Zimmermann, Christina ; Bethge, Ole ; Lutzer, Bernhard ; Bertagnolli, Emmerich Electrical Characterization of Yttrium Oxide grown by Atomic Layer Deposition for Germanium based MOS DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2015
6Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Hummer, Markus ; Hutter, Herbert ; Stöger-Pollach, Michael ; Bertagnolli, Emmerich ALD grown bilayer gate stacks for Schottky-barrier Si and Ge MOSFETKonferenzbeitrag Inproceedings2015
7Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Bertagnolli, Emmerich Schottky-barrier Si and Ge MOSFETs with ALD grown bilayer gate dielectricsKonferenzbeitrag Inproceedings2015
8Lutzer, B. ; Hummer, M. ; Simsek, S. ; Zimmermann, C. ; Amsuess, A. ; Hutter, H. ; Detz, H. ; Stoeger-Pollach, M. ; Bethge, O. ; Bertagnolli, E. Rhodium Germanide Schottky Barrier ContactsArtikel Article 2015
9Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Simsek, Sinan ; Smoliner, Jürgen ; Bertagnolli, Emmerich Characterization of Ultra-Thin Metal on Silicon Structures for Future Field Effect DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
10Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Simsek, Sinan ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ALD Grown Rare-Earth High-k Oxides on Ge: Lowering of the Interface Trap Density and EOT ScalabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2014
11Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Simsek, Sinan ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ALD Grown Rare-Earth High-k Oxides on Ge: Lowering of the Interface Trap Density and EOT ScalabilityArtikel Article2014
12Bethge, O. ; Zimmermann, C. ; Lutzer, B. ; Simsek, S. ; Smoliner, J. ; Stöger-Pollach, M. ; Henkel, C. ; Bertagnolli, E. Effective reduction of trap density at the Y203/Ge interface by rigorous high-temperature oxygen annealingArtikel Article 2014
13Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich ALD-grown Rare Earth Oxides: Effective Passivation of the Germanium Channel in MOS devicesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
14Lutzer, Bernhard ; Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Bertagnolli, Emmerich Ohmic contacts for resistance measurements of ultra-thin metal-on-silicon layersPräsentation Presentation2013
15Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich ALD grown germanates for effective passivation of the Ge surfacePräsentation Presentation2013
16Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich Electrical and Physical Characterization of Interfacial Germanates in Ge-based MOS devicesPräsentation Presentation2013
17Zimmermann, Christina Atomlagenabscheidung (ALD) von Yttrium-Oxid Schichten auf (100)-Germanium Substraten für CMOS AnwendungenThesis Hochschulschrift2012