Physikalische und elektrische Charakterisierung von ALD-gewachsenen High-k Dielektrika in Germanium-basierten Schottky-Barrieren pMOSFET Bauelementen

Abstract

Ziel der vorliegenden Arbeit ist die physikalische und elektrische Charakterisierung von ALD-gewachsenen High-k Oxiden für die Herstellung von HKMG Schottky-Barrieren pMOSFETs auf Antimon dotierten Germanium Substraten. Zu diesem Zweck werden die einzelnen Komponenten des HKMG SB-pMOSFETs untersucht und anhand von verschiedenen Präparierungs-, Passivierungs- und Ausheilungsmethoden optimiert, um auf Grundlage der erworbenen Kenntnisse Transistoren sowohl im Gate First- als auch im Gate- Last-Prozess zu fertigen.

The aim of this work is the physical and electrical characterization of ALD-grown high-k oxides for the fabrication of HKMG Schottky barrier pMOSFETs on antimony doped germanium substrates. To this purpose, the individual components of the HKMG SB pMOSFET are studied and optimized using dierent preparation, passivation, and annealing techniques to fabricate transistors in the gate-rst and gate-last process based on the previously acquired knowledge.