DC Element
Wert
Sprache
dc.contributor.author
Henkel, C.
-
dc.contributor.author
Abermann, S.
-
dc.contributor.author
Bethge, O.
-
dc.contributor.author
Pozzovivo, G.
-
dc.contributor.author
Klang, P.
-
dc.contributor.author
Reiche, M.
-
dc.contributor.author
Bertagnolli, E.
-
dc.date.accessioned
2023-03-07T13:26:02Z
-
dc.date.available
2023-03-07T13:26:02Z
-
dc.date.issued
2010-12
-
dc.identifier.citation
<div class="csl-bib-body"> <div class="csl-entry">Henkel, C., Abermann, S., Bethge, O., Pozzovivo, G., Klang, P., Reiche, M., &#38; Bertagnolli, E. (2010). Ge p-MOSFETs With Scaled ALD 𝙻𝚊₂𝙾₃/𝚉𝚛𝙾₂ Gate Dielectrics. <i>IEEE Transactions on Electron Devices</i>, <i>57</i>(12), 3295–3302. https://doi.org/10.1109/ted.2010.2081366</div> </div>
-
dc.identifier.issn
0018-9383
-
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.12708/167845
-
dc.language.iso
en
-
dc.publisher
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
-
dc.relation.ispartof
IEEE Transactions on Electron Devices
-
dc.subject
Electrical and Electronic Engineering
-
dc.subject
Electronic, Optical and Magnetic Materials
-
dc.title
Ge p-MOSFETs With Scaled ALD 𝙻𝚊₂𝙾₃/𝚉𝚛𝙾₂ Gate Dielectrics
en
dc.type
Artikel
de
dc.type
Article
en
dc.description.startpage
3295
-
dc.description.endpage
3302
-
dc.type.category
Original Research Article
-
tuw.container.volume
57
-
tuw.container.issue
12
-
tuw.journal.peerreviewed
true
-
tuw.peerreviewed
true
-
tuw.researchTopic.id
M1
-
tuw.researchTopic.id
M2
-
tuw.researchTopic.name
Surfaces and Interfaces
-
tuw.researchTopic.name
Materials Characterization
-
tuw.researchTopic.value
50
-
tuw.researchTopic.value
50
-
dcterms.isPartOf.title
IEEE Transactions on Electron Devices
-
tuw.publication.orgunit
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
tuw.publisher.doi
10.1109/ted.2010.2081366
-
dc.identifier.eissn
1557-9646
-
dc.description.numberOfPages
8
-
wb.sci
true
-
wb.sciencebranch
Elektrotechnik, Elektronik
-
wb.sciencebranch.oefos
25
-
wb.facultyfocus
Mikro- und Nanoelektronik
de
wb.facultyfocus
Micro- and Nanoelectronics
en
wb.facultyfocus.faculty
E350
-
item.languageiso639-1
en
-
item.openairetype
research article
-
item.grantfulltext
none
-
item.fulltext
no Fulltext
-
item.cerifentitytype
Publications
-
item.openairecristype
http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1
-
crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
crisitem.author.dept
E362-01 - Forschungsbereich Optoelektronische Materialien
-
crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
-
crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
-
crisitem.author.parentorg
E362 - Institut für Festkörperelektronik
-
crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
-
crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
-
crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
-
Enthalten in den Sammlungen:
Article
Zur Kurzanzeige

Seiten Aufrufe

69
aufgerufen am 01.12.2023

Download(s)

2
aufgerufen am 01.12.2023

Google ScholarTM

Check