Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/167845
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Titel: 
Ge p-MOSFETs With Scaled ALD 𝙻𝚊₂𝙾₃/𝚉𝚛𝙾₂ Gate Dielectrics
en
Zitat: 
Henkel, C., Abermann, S., Bethge, O., Pozzovivo, G., Klang, P., Reiche, M., & Bertagnolli, E. (2010). Ge p-MOSFETs With Scaled ALD 𝙻𝚊₂𝙾₃/𝚉𝚛𝙾₂ Gate Dielectrics. IEEE Transactions on Electron Devices, 57(12), 3295–3302. https://doi.org/10.1109/ted.2010.2081366
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Verlags-DOI: 
10.1109/ted.2010.2081366
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Publikationstyp: 
Artikel - Forschungsartikel
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Henkel, C. 
Abermann, S. 
Bethge, O. 
Pozzovivo, G. 
Klang, P. 
Reiche, M. 
Bertagnolli, E. 
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Organisations­einheit: 
E362 - Institut für Festkörperelektronik 
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Zeitschrift: 
IEEE Transactions on Electron Devices 
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ISSN: 
0018-9383
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Datum (veröffentlicht): 
Dez-2010
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Umfang: 
8
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Verlag: 
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials
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Forschungs­schwerpunkte: 
Surfaces and Interfaces: 50%
Materials Characterization: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik
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