Golka, S. (2006). Dry-etched intersubband devices for near- and mid-infrared optoelectronics [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/184399
Ziel der vorliegenden Arbeit waren Entwurf und Erprobung neuer Herstellungskonzepte von Intersubband-(ISB)-lasern im mittleren Infrarot (MIR, ca. 10 Mikrometer) und die Erforschung des neuen Materialsystems der Gruppe III-Nitride zur Erweiterung des für Intersubband-Bauelemente zugänglichen Frequenzbereichs ins nahe Infrarot (NIR, ca. 1.5 Mikrometer). Der verwendete ISB Lasertypus, der sogenannte Quantenkaskaden-Laser (QCL), basiert auf Übergängen zwischen elektronischen Zuständen innerhalb des Leitungsbandes einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterstruktur. Andere hier untersuchte, ebenfalls ISB Effekte in Halbleitern nutzende Bauelemente sind der Quantentopf-IR Photodetektor (QWIP) und die resonante Tunneldiode (RTD).
The aim of this work was the systematic development and testing of new fabrication concepts of intersubband (ISB) lasers in the mid-infrared (MIR, 10 micron) range and the exploration of a new ISB material system, the group III nitrides, for the extension of the frequency range that is accessible with ISB devices to the near infrared (NIR, 1.5 micron). The investigated type of laser was the Quantum Cascade Laser (QCL). Its function is based on transitions between electronic states within the conduction band of an epitaxially grown semiconductor heterostructure. Other ISB semiconductor devices that were investigated are the quantum well infrared photodetector (QWIP) and the resonant tunneling diode (RTD).
