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<div class="csl-entry">Harasek, S. (2003). <i>Zirkoniumdioxiddünnfilme als hoch-[epsilon] Gateisolatoren für die Siliziumtechnologie</i> [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/184968</div>
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http://hdl.handle.net/20.500.12708/184968
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dc.description
Zsfassung in engl. Sprache
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dc.language
Deutsch
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dc.language.iso
de
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dc.subject
Zirkoniumdioxid
de
dc.subject
Dünnschichttechnik
de
dc.subject
Halbleiterbauelement
de
dc.subject
Gate
de
dc.subject
Isolatorbauteil
de
dc.title
Zirkoniumdioxiddünnfilme als hoch-[epsilon] Gateisolatoren für die Siliziumtechnologie
de
dc.type
Thesis
en
dc.type
Hochschulschrift
de
dc.contributor.affiliation
TU Wien, Österreich
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tuw.thesisinformation
Technische Universität Wien
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tuw.publication.orgunit
E362 - Institut für Festkörperelektronik
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dc.type.qualificationlevel
Doctoral
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dc.identifier.libraryid
AC04081982
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dc.description.numberOfPages
136
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dc.thesistype
Dissertation
de
dc.thesistype
Dissertation
en
tuw.advisor.staffStatus
staff
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item.languageiso639-1
de
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item.fulltext
no Fulltext
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Publications
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none
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item.openairetype
Thesis
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Hochschulschrift
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http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf
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crisitem.author.dept
E362 - Institut für Festkörperelektronik
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crisitem.author.parentorg
E350 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik