Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/193349
-
Titel: 
High-temperature Reorganization Behavior of Porous 4H-SiC Thin Foils
en
Zitat: 
Perazzi, M., Leitgeb, M., Pfusterschmied, G., Vengattoor Raghu, A., Schmid, U., Zellner, C., Schwarz, S., Hahn, R., & Kirnbauer, A. (2023, September). High-temperature Reorganization Behavior of Porous 4H-SiC Thin Foils [Poster Presentation]. ICSCRM2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sorrento, Italy. http://hdl.handle.net/20.500.12708/193349
-
Publikationstyp: 
Vortrag - Poster-Präsentation
de
Sprache: 
Englisch
-
Autor_innen: 
Perazzi, Marco 
Leitgeb, Markus 
Pfusterschmied, Georg 
Vengattoor Raghu, Appu 
Schmid, Ulrich 
Zellner, Christopher 
Schwarz, Sabine 
Hahn, Rainer 
Kirnbauer, Alexander 
-
Organisations­einheit: 
E366-02 - Forschungsbereich Mikrosystemtechnik 
E366-01 - Forschungsbereich Mikro- und Nanosensorik 
-
Datum (veröffentlicht): 
Sep-2023
-
Veranstaltungs­name: 
ICSCRM2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
17-Sep-2023 - 22-Sep-2023
-
Veranstaltungs­ort: 
Sorrento, Italien
-
Keywords: 
4H-SiC; Thin Foils
en
Forschungs­schwerpunkte: 
Materials Characterization: 100%
-
Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
-
Enthalten in den Sammlungen:
Presentation

Zur Langanzeige

Seiten Aufrufe

84
aufgerufen am 06.02.2024

Google ScholarTM

Check