Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)

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Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
 

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1Khalil, N. ; Nanz, Gerd ; Rios, R. ; Selberherr, Siegfried A B-Splines Regression Technique to Determine One-Dimensional MOS Doping ProfilesKonferenzbeitrag Inproceedings1995
2Makarov, Alexander ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried A Stochastic Model of Bipolar Resistive Switching in Metal-Oxide-Based MemoryKonferenzbeitrag Inproceedings2010
3Hehenberger, Philipp Paul ; Wagner, Paul-Jürgen ; Reisinger, H. ; Grasser, Tibor Comparison of Fast Measurement Methods for Short-Term Negative Bias Temperature Stress and RelaxationKonferenzbeitrag Inproceedings2009
4Sverdlov, Viktor ; Ungersböck, Stephan Enzo ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Effects of Shear Strain on the Conduction Band in Silicon: An Efficient Two-Band k.p TheoryKonferenzbeitrag Inproceedings2007
5Puschkarsky, Katja ; Reisinger, H. ; Schlünder, C. ; Gustin, W. ; Grasser, Tibor Fast Acquisition of Activation Energy Maps Using Temperature Ramps for Lifetime Modeling of BTIKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
6Vitanov, Stanislav ; Palankovski, Vassil ; Selberherr, Siegfried Hydrodynamic Models for GaN-Based HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
7Ceric, Hajdin ; Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried Impact of Gold Interconnect Microstructure on Electromigration Failure Time StatisticsKonferenzbeitrag Inproceedings 2022
8Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Jungemann, C. ; Enichlmair, H. ; Park, Jong Mun ; Grasser, Tibor Impact of the Carrier Distribution Function on Hot-Carrier Degradation ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2011
9Pourfath, Mahdi ; Kosina, Hans ; Cheong, Byoung-Ho ; Park, W.J. ; Selberherr, Siegfried Improving DC and AC Characteristics of Ohmic Contact Carbon Nanotube Field Effect TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2005
10Simlinger, Thomas ; Kosina, Hans ; Rottinger, Martin ; Selberherr, Siegfried MINIMOS-NT: A Generic Simulator for Complex Semiconductor DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings1995
11Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Negative Bias Temperature Instability: Recoverable versus Permanent DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings2007
12Vitanov, Stanislav ; Palankovski, Vassil ; Maroldt, S. ; Quay, Rüdiger Non-Linearity of Transconductance and Source-Gate Resistance of HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
13Pourfath, Mahdi ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Optimal Design for Carbon Nanotube TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
14Sverdlov, Viktor ; Ungersböck, Stephan Enzo ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Orientation Dependence of the Low Field Mobility in Double- and Single-Gate SOI FETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2006
15Pourfath, Mahdi ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Reduction of the Dark-Current in Carbon Nanotube Photo-DetectorsKonferenzbeitrag Inproceedings2008
16Fiorentini, Simone ; Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Spin Torques in ULTRA-Scaled MRAM DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings 2022
17Cervenka, Johann ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried ; Zhang, J. ; Hrauda, N. ; Stangl, J ; Bauer, G. ; Vastola, G. ; Marzegalli, A. ; Miglio, L. Strained MOSFETs on Ordered SiGe DotsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
18Pourfath, Mahdi ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried The Role of Inelastic Electron-Phonon Interaction on the On-Current and Gate Delay Time of CNT-FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
19Sverdlov, Viktor ; Gehring, Andreas ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Tunneling and Intersubband Coupling in Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2005