IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

Event name
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
 
Event type
Event for scientific audience
 
Start date
11-12-1988
End date
14-12-1988
 
Location
San Francisco, CA, USA
Country
Austria
 
Event format Veranstaltungsformat
On Site

Publications Publikationen

Results 1-20 of 42 (Search time: 0.003 seconds).

PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Franco, J. ; Kaczer, B. ; Eneman, G. ; Mitard, J. ; Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Kauerauf, T. ; Roussel, Ph.J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Degraeve, R. ; Grasser, T. ; Ragnarsson, L.-A. ; Witters, L. ; Tseng, J. ; Takeoka, S. ; Wang, W.-E. ; Hoffmann, T.Y. ; Groeseneken, G. 6Å EOT Si<inf>0.45</inf>Ge<inf>0.55</inf> pMOSFET with optimized reliability (V<inf>DD</inf>=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOTKonferenzbeitrag Inproceedings2010
2Pourfath, M. ; Kosina, H. ; Selberherr, S. A Comprehensive Study of Carbon Nanotube Based Transistors: The Effects of Geometrical, Interface Barrier, and Scattering ParametersKonferenzbeitrag Inproceedings2006
3Orio, Roberto ; Makarov, Alexander ; Ender, Johannes ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor A Dynamical Approach to Fast and Reliable External Field Free Perpendicular Magnetization Reversal by Spin-Orbit TorquesKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
4Grasser, T. ; Wagner, P.-J. ; Reisinger, H. ; Aichinger, Th. ; Pobegen, G. ; Nelhiebel, M. ; Kaczer, B. Analytic modeling of the bias temperature instability using capture/emission time mapsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
5Ruch, Bernhard ; Jech, Markus ; Pobegen, Gregor ; Grasser, Tibor Applicability of Shockley-Read-Hall Theory for Interface StatesKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
6Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Kimura, Y ; Nyns, L ; Wu, Zhicheng ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; Claes, Dieter ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Afanas´Ev, V. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Atomic Hydrogen Exposure to Enable High-Quality Low-Temperature SiO<sub>2</sub> with Excellent pMOS NBTI Reliability Compatible with 3D Sequential Tier StackingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
7Franco, J. ; Wu, Z. ; Rzepa, G. ; Vandooren, A. ; Arimura, H. ; Ragnarsson, L. -A ; Hellings, G. ; Brus, S. ; Cott, D. ; De Heyn, V. ; Groeseneken, G. ; Horiguchi, N. ; Ryckaert, J. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. BTI Reliability Improvement Strategies in Low Thermal Budget Gate Stacks for 3D Sequential IntegrationKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
8Franco, J. ; Putcha, V. ; Vais, A. ; Sioncke, S. ; Waldron, N. ; Zhou, D. ; Rzepa, G. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Heyns, M. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Kaczer, B. Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)Konferenzbeitrag Inproceedings 2017
9Koller, Christian ; Pobegen, G. ; Ostermaier, C ; Pogany, Dionyz Evidence of defect band in carbon-doped GaN controlling leakage current and trapping dynamicsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
10Michl, Jakob ; Grill, Alexander ; Waldhör, Dominic ; Schleich, Christian ; Knobloch, Theresia ; Ioannidis, E. ; Enichlmair, H. ; Minixhofer, R. ; Kaczer, Ben ; Parvais, Bertrand ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, I ; Grasser, Tibor ; Waltl, Michael Evidence of Tunneling Driven Random Telegraph Noise in Cryo-CMOSKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
11Michl, J. ; Grill, Alexander ; Stampfer, B. ; Waldhoer, D. ; Schleich, Christian ; Knobloch, T. ; Ioannidis, E. ; Enichlmair, H. ; Minixhofer, R. ; Kaczer, B. ; Parvais, B. ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Evidence of Tunneling Driven Random Telegraph Noise in Cryo-CMOSInproceedings Konferenzbeitrag2021
12Stanojevic, Zlatan ; Karner, Markus ; Kosina, Hans Exploring the design space of non-planar channels: Shape, orientation, and strainKonferenzbeitrag Inproceedings2013
13Shrivastava, Mayank ; Bychikhin, Sergey ; Pogany, Dionyz ; Schneider, Jens ; Baghini, Shojaei ; Gossner, Harald ; Gornik, Erich ; Ramgopal Rao, V Filament study of STI type drain extended NMOS device using transient interferometric mappingKonferenzbeitrag Inproceedings2009
14Jech, M. ; Tyaginov, S. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Jabs, D. ; Jungemann, C. ; Waltl, M. ; Grasser, T. First–Principles Parameter–Free Modeling of n– and p–FET Hot–Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
15Grasser, T. ; Waltl, M. ; Wimmer, Y. ; Goes, W. ; Kosik, R. ; Rzepa, G. ; Reisinger, H. ; Pobegen, G. ; El-Sayed, A. ; Shluger, A. ; Kaczer, B. Gate-sided hydrogen release as the origin of "permanent" NBTI degradation: From single defects to lifetimesKonferenzbeitrag Inproceedings 2015
16Meinhardt, Gerald ; Kraft, J. ; Löffler, B. ; Enichlmair, H. ; Röhrer, G. ; Wachmann, E. ; Schrems, Martin ; Swoboda, R. ; Seidl, Christoph ; Zimmermann, Horst High-speed blue-, red-, and infrared-sensitive photodiode integrated in a 0.35 µm SiGe:C-BiCMOS processKonferenzbeitrag Inproceedings2005
17Makarov, A. ; Tyaginov, S. E. ; Kaczer, B. ; Jech, M. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Hellings, G. ; Vexler, M. I. ; Linten, D. ; Grasser, T. Hot-carrier degradation in FinFETs: Modeling, peculiarities, and impact of device topologyKonferenzbeitrag Inproceedings 2017
18Grasser, T. ; Rott, K. ; Reisinger, H. ; Waltl, M. ; Wagner, P. ; Schanovsky, F. ; Goes, W. ; Pobegen, G. ; Kaczer, B. Hydrogen-related volatile defects as the possible cause for the recoverable component of NBTIKonferenzbeitrag Inproceedings2013
19Kohn, Erhard ; Alomari, M ; Denisenko, A ; Dipalo, M ; Maier, D ; Medjdoub, F ; Pietzka, C ; Delage, S.L. ; diForte-Poisson, M.-A. ; Morvan, Erwin ; Sarazin, N ; Jacquet, J.-C. ; Dua, C ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Py, M.A. ; Gonschorek, Marcus ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Toth, L. ; Pecz, B ; Gaquière, Christophe ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Georgakilas, A ; Iliopoulos, E ; Konstantinidis, G. ; Giessen, C ; Heuken, M ; Schineller, B InAlN/GaN Heterostructures for Microwave Power and BeyondKonferenzbeitrag Inproceedings2009
20Bina, M. ; Rupp, K. ; Tyaginov, S. ; Triebl, O. ; Grasser, T. Modeling of hot carrier degradation using a spherical harmonics expansion of the bipolar Boltzmann transport equationKonferenzbeitrag Inproceedings2012