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Jungemann, C.
 
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1Jech, M. ; Tyaginov, S. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Jabs, D. ; Jungemann, C. ; Waltl, M. ; Grasser, T. First–Principles Parameter–Free Modeling of n– and p–FET Hot–Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
2Rupp Karl - 2016 - A review of recent advances in the spherical harmonics...pdf.jpgRupp, Karl ; Jungemann, C. ; Hong, S.-M. ; Bina, Markus ; Grasser, Tibor ; Jüngel, Ansgar A review of recent advances in the spherical harmonics expansion method for semiconductor device simulationArticle Artikel Sep-2016
3Tyaginov, S. E. ; Starkov, I. A. ; Triebl, O. ; Karner, M. ; Kernstock, Ch. ; Jungemann, C. ; Enichlmair, H. ; Park, J.M. ; Grasser, T. Impact of gate oxide thickness variations on hot-carrier degradationKonferenzbeitrag Inproceedings2012
4Rupp, Karl ; Jungemann, C. ; Bina, Markus ; Jüngel, Ansgar ; Grasser, Tibor Bipolar Spherical Harmonics Expansions of the Boltzmann Transport EquationKonferenzbeitrag Inproceedings2012
5Starkov, I. ; Tyaginov, S. ; Enichlmair, H. ; Cervenka, J. ; Jungemann, C. ; Carniello, S. ; Park, J. M. ; Ceric, H. ; Grasser, T. Hot-Carrier Degradation Caused Interface State Profile-Simulation versus ExperimentArtikel Article2011
6Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Jungemann, C. ; Enichlmair, H. ; Park, Jong Mun ; Grasser, Tibor Impact of the Carrier Distribution Function on Hot-Carrier Degradation ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2011
7Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Enichlmair, H. ; Park, J.M. ; Jungemann, C. ; Grasser, Tibor Physics-Based Hot-Carrier Degradation ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2011
8Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Enichlmair, H. ; Jungemann, C. ; Park, Jong Mun ; Seebacher, E. ; Orio, Roberto ; Ceric, Hajdin ; Grasser, Tibor An Analytical Approach for Physical Modeling of Hot-Carrier Induced DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings2011
9Starkov, Ivan ; Tyaginov, S. E. ; Triebl, Oliver ; Cervenka, Johann ; Jungemann, C. ; Carniello, Sara ; Park, Jong Mun ; Enichlmair, H. ; Karner, Markus ; Kernstock, Christian ; Seebacher, E. ; Minixhofer, R. ; Ceric, Hajdin ; Grasser, Tibor Analysis of Worst-Case Hot-Carrier Conditions for High Voltage Transistors Based on Full-Band Monte-Carlo SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
10Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Triebl, Oliver ; Cervenka, Johann ; Jungemann, C. ; Carniello, Sara ; Park, Jong Mun ; Enichlmair, H. ; Karner, Markus ; Kernstock, Christian ; Seebacher, E. ; Minixhofer, R. ; Ceric, Hajdin ; Grasser, Tibor Hot-Carrier Degradation Modeling Using Full-Band Monte-Carlo SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
11Starkov, Ivan ; Tyaginov, S. E. ; Enichlmair, H. ; Triebl, Oliver ; Cervenka, Johann ; Jungemann, C. ; Carniello, Sara ; Park, Jong Mun ; Ceric, Hajdin ; Grasser, Tibor HC Degradation Model: Interface State Profile-Simulations vs. ExperimentKonferenzbeitrag Inproceedings2010
12Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Triebl, Oliver ; Cervenka, Johann ; Jungemann, C. ; Carniello, Sara ; Park, Jong Mun ; Enichlmair, H. ; Karner, Markus ; Kernstock, Christian ; Seebacher, E. ; Minixhofer, R. ; Ceric, Hajdin ; Grasser, Tibor Interface Traps Density-of-States as a Vital Component for Hot-Carrier Degradation ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2010
13Tyaginov, S. E. ; Starkov, Ivan ; Triebl, Oliver ; Cervenka, Johann ; Jungemann, C. ; Carniello, Sara ; Park, J.M. ; Enichlmair, H. ; Karner, Markus ; Kernstock, Christian ; Seebacher, E. ; Minixhofer, R. ; Ceric, Hajdin ; Grasser, Tibor Interface Traps Density-of-States as a Vital Component for Hot-Carrier Degradation ModelingArtikel Article2010
14Krishnamohan, T. ; Jungemann, C. ; Kim, D. ; Ungersboeck, E. ; Selberherr, S. ; Pham, A.-T. ; Meinerzhagen, B. ; Wong, P. ; Nishi, Y. ; Saraswat, K.C. High Performance, Uniaxially-Strained, Silicon and Germanium, Double-Gate p-MOSFETsArtikel Article2007
15Jungemann, C. ; Grasser, Tibor ; Neinhüs, Burkhard ; Meinerzhagen, Bernd Failure of Macroscopic Transport Models in Nanoscale Devices near EquilibriumKonferenzbeitrag Inproceedings2005
16Grasser, T. ; Kosik, R. ; Jungemann, C. ; Kosina, H. ; Selberherr, S. Nonparabolic Macroscopic Transport Models for Device Simulation Based on Bulk Monte Carlo DataArtikel Article2005
17Jungemann, C. ; Grasser, Tibor ; Neinhüs, Burkhard ; Meinerzhagen, Bernd Failure of Moments-Based Transport Models in Nanoscale Devices Near EquilibriumArtikel Article2005
18Abramo, A. ; Baudry, L. ; Brunetti, R. ; Castagne, R. ; Charef, M. ; Dessene, F. ; Dollfus, P. ; Dutton, R. ; Engl, W.L. ; Fauquembergue, R. ; Fiegna, C. ; Fischetti, M.V. ; Galdin, S. ; Goldsman, N. ; Hackel, Michael ; Hamaguchi, C. ; Hess, K. ; Hennacy, K. ; Hesto, P. ; Higman, J.M. ; Iizuka, T. ; Jungemann, C. ; Kamakura, Y. ; Kosina, Hans ; Kunikiyo, T. ; Laux, S.E. ; Lin, H. ; Maziar, C. ; Mizuno, H. ; Peifer, H.J. ; Ramaswamy, S. ; Sano, N. ; Scrobohaci, P.G. ; Selberherr, Siegfried ; Takenaka, M. ; Tang, T.-W. ; Taniguchi, K. ; Thobel, J.L. ; Thoma, R. ; Tomizawa, K. ; Tomizawa, M. ; Vogelsang, T. ; Wang, S.-L. ; Wang, X ; Yao, C.-S. ; Yoder, P.D. ; Yoshii, A. A Comparison of Numerical Solutions of the Boltzmann Transport Equation for High-Energy Electron Transport SiliconArtikel Article 1994

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1Hong, Sung-Min ; Pham, A.-T ; Jungemann, C. Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport EquationBuch Book2011