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Pobegen, G.
 

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1Triendl, F. ; Pfusterschmied, G. ; Pobegen, G. ; Schwarz, S. ; Artner, W. ; Konrath, J.P. ; Schmid, U. Growth and characterization of low pressure chemical vapor deposited Si on Si-face 4H-SiCArtikel Article 2021
2Koller, C. ; Lymperakis, L. ; Pogany, D. ; Pobegen, G. ; Ostermaier, C. Mechanism leading to semi-insulating property of carbon-doped GaN: Analysis of donor acceptor ratio and method for its determinationArtikel Article 2021
3Berens, J. ; Weger, M. ; Pobegen, G. ; Aichinger, T. ; Rescher, G. ; Schleich, C. ; Grasser, T. Similarities and Differences of BTI in SiC and Si Power MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
4Schleich, C. ; Berens, J. ; Rzepa, G. ; Pobegen, G. ; Rescher, G. ; Tyaginov, S. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Physical Modeling of Bias Temperature Instabilities in SiC MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
5Ostermaier, C ; Lagger, Peter Willibald ; Reiner, Maria ; Pobegen, G. ; Pogany, Dionyz ; Prechtl, G. ; Detzel, T. ; Häberlen, O. The role of defects on reliability aspects in GaN power devicesPräsentation Presentation2019
6Padovan, V. ; Koller, C. ; Pobegen, G. ; Ostermaier, C. ; Pogany, D. Stress and recovery dynamics of drain current in GaN HD-GIT submitted to DC semi-on stressArtikel Article 2019
7Tyaginov, S.E. ; Jech, M. ; Rzepa, G. ; Grill, A. ; El-Sayed, A.-M. ; Pobegen, G. ; Makarov, A. ; Grasser, T. Border Trap Based Modeling of SiC Transistor Transfer CharacteristicsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
8Grasser, Tibor ; Stampfer, Bernhard ; Waltl, Michael ; Rzepa, Gerhard ; Rupp, Karl ; Schanovsky, Franz ; Pobegen, G. ; Puschkarsky, Katja ; Reisinger, H. ; O´Sullivan, B. J. ; Kaczer, Ben Characterization and Physical Modeling of the Temporal Evolution of Near-Interfacial States Resulting from NBTI/PBTI Stress in nMOS/pMOS TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
9Koller, Christian ; Pobegen, G. ; Ostermaier, Clemens ; Pogany, Dionyz Trap-related localized breakdown in carbon-doped GaNPräsentation Presentation2018
10Koller, Christian ; Pobegen, G. ; Ostermaier, Clemens ; Pogany, Dionyz The role and mechanisms of carbon in insulating GaN buffersPräsentation Presentation2018
11Grasser, Tibor ; Waltl, Michael ; Puschkarsky, Katja ; Stampfer, Bernhard ; Rzepa, Gerhard ; Pobegen, G. ; Reisinger, H. ; Arimura, H ; Kaczer, Ben Implications of Gate-Sided Hydrogen Release for Post-Stress Degradation Build-Up after BTI StressKonferenzbeitrag Inproceedings2017
12Koller, Christian ; Pobegen, G. ; Ostermaier, C ; Pogany, Dionyz Evidence of defect band in carbon-doped GaN controlling leakage current and trapping dynamicsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
13Grasser, T. ; Waltl, M. ; Wimmer, Y. ; Goes, W. ; Kosik, R. ; Rzepa, G. ; Reisinger, H. ; Pobegen, G. ; El-Sayed, A. ; Shluger, A. ; Kaczer, B. Gate-sided hydrogen release as the origin of "permanent" NBTI degradation: From single defects to lifetimesKonferenzbeitrag Inproceedings 2015
14Lagger, Peter Willibald ; Donsa, Stefan ; Spreitzer, P. ; Pobegen, G. ; Reiner, Maria ; Naharashi, H. ; Mohamed, J. ; Mösslacher, M. ; Prechtl, G. ; Pogany, Dionyz ; Ostermaier, C Thermal activation of PBTI-related stress and recovery processes in GaN MIS-HEMTs using on-wafer heatersKonferenzbeitrag Inproceedings2015
15Grasser, T. ; Rott, K. ; Reisinger, H. ; Waltl, M. ; Wagner, P. ; Schanovsky, F. ; Goes, W. ; Pobegen, G. ; Kaczer, B. Hydrogen-related volatile defects as the possible cause for the recoverable component of NBTIKonferenzbeitrag Inproceedings2013
16Aichinger, T. ; Lenahan, P. M. ; Grasser, Tibor ; Pobegen, G. ; Nelhiebel, M. Evidence for Pb Center-Hydrogen Complexes after Subjecting PMOS Devices to NBTI Stress - a Combined DCIV/SDR StudyKonferenzbeitrag Inproceedings2012
17Lagger, Peter Willibald ; Ostermaier, C ; Pobegen, G. ; Pogany, Dionyz Toward understanding the origin of threshold voltage instability of AlGaN/GaN MIS-HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
18Grasser, T. ; Wagner, P.-J. ; Reisinger, H. ; Aichinger, Th. ; Pobegen, G. ; Nelhiebel, M. ; Kaczer, B. Analytic modeling of the bias temperature instability using capture/emission time mapsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
19Grasser, Tibor ; Aichinger, T. ; Pobegen, G. ; Reisinger, H. ; Wagner, Paul-Jürgen ; Franco, J. ; Nelhiebel, M. ; Kaczer, Ben The 'Permanent' Component of NBTI: Composition and AnnealingKonferenzbeitrag Inproceedings2011
20Pobegen, G. ; Aichinger, T. ; Grasser, Tibor ; Nelhiebel, M. Impact of Gate Poly Doping and Oxide Thickness on the N- and PBTI in MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2011