Seit der Entdeckung, dass ein spinpolarisierter Gleichstrom ein Drehmoment, genannt Spin Transfer Torque (STT), auf die Magnetisierung eines Mediums ausüben kann, ist der Magnetic Random Access Memory (MRAM), zu einem der hoffnungsvollsten Kandidaten avanciert, eine entscheidende Weiterentwicklung in der modernen Speichertechnologie zu werden. In der vorliegenden Arbeit soll aber noch ein Schritt weiter gegangen und es soll nicht nur die Wirkung von spinpolarisierten Gleichströmen, sondern auch jene von überlagerten Wechselströmen untersucht werden. Mit Hilfe von Finite Elemente Simulationen kann gezeigt werden, dass die Magnetisierung von ferromagnetischen Speicherschichten abhängig von deren Materialkonstanten und deren Form einen charakteristischen Verlauf der Präzessionsfrequenz besitzt. Basierend auf diesen Ergebnissen, ist es möglich die Wirkung der treibenden Ströme auf die Magnetisierungsbewegung zu verstehen. Durch die Verwendung von frequenzadaptierten Wechselströmen kann in weiterer Folge das übertragene STT selektiv maximiert werden, um lediglich eine einzelne Speicherschicht in einer Schichtstruktur ummagnetisieren zu können.<br />Diese Resultate sind sowohl für Single-Domain Teilchen als auch für reale Speicherbits geeigneter Größe in äquivalenter Weise gültig. Es wird somit die Möglichkeit aufgezeigt, die Speicherdichte in MRAM durch die Verwendung von 3-dimensionalen Schichtstrukturen schlagartig zu erhöhen.<br />
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oindent Since a spinpolarized direct current can exert a torque, called spin transfer torque (STT), on the magnetization of a device, magnetic random access memory (MRAM) has become one of the most promising candidates of being an important further development in modern storage technology. In the present work we investigate the effect of spin-polarized alternating currents superimposed on the direct currents.<br />By means of finite element simulations it can be shown that the magnetization of ferromagnetic storage layers follows a characteristic evolution of the precession frequency depending on its material constants and its shape. Based on these results, the effect of the driving currents on the motion of the magnetization can be understood.<br />Through the use of frequency triggered alternating currents it is possible to maximize the transferred STT selectively in order to merely reverse the magnetization of a single storage layer in a stack. These results are similarly valid for both single-domain particles as well as for real memory bits of appropriate size.
