Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/181284
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Titel: 
TEM analysis of GaN/GaAIN on SiC and sapphire
en
Zitat: 
Korkmaz, M. (2002). TEM analysis of GaN/GaAIN on SiC and sapphire [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/181284
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CatalogPlus: 
AC03466646
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Publikationstyp: 
Hochschulschrift - Diplomarbeit
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Korkmaz, Metin 
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Betreuer_in: 
Pongratz, Peter 
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Organisations­einheit: 
E138 - Institut für Festkörperphysik 
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Datum (veröffentlicht): 
2002
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Umfang: 
97
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Enthalten in den Sammlungen:
Thesis

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