Title: Integrating technology simulation into the semiconductor manufacturing environment
Language: input.forms.value-pairs.iso-languages.en
Authors: Minixhofer, Rainer
Qualification level: Doctoral
Advisor: Selberherr, Siegfried
Assisting Advisor: Pribyl, Wolfgang 
Issue Date: 2006
Citation: 
Minixhofer, R. (2006). Integrating technology simulation into the semiconductor manufacturing environment [Dissertation]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439
Number of Pages: 173
Qualification level: Doctoral
Abstract: 
Integrated circuit manufacturing is nowadays a multi-billion dollar business and one of the most complex industry branches in the world.
Historically the development costs for introducing a new technology generation (technology node) have been steadily increasing. This trend is even accelerated by entering the nanotechnology regime with its highly complicated new lithography processes. To keep this trend under control, Technology Computer Aided Design (TCAD) has gained more and more importance.
This "front loaded" approach in development has improved the speed and quality of the semiconductor process technology development significantly. It was also very successful in reducing the development cost significantly (by 35% in 2005).
However TCAD is still mainly a very specialized tool for only a small group of engineers inside semiconductor companies. Despite the big savings potential, the consistent application of this methodology on the control of the manufacturing process is still in the fledgling stages.
Technology simulation has not done the leap, from a tool for a small group from specialists to a tool for a larger number of users in the semiconductor production area, yet.
Main problems of the broader use result from the complex, often little intuitive use of the tools, the complex underlying physical models and particularly by the missing integration into the work flow of a modern semiconductor production line.
This work aims to bridge the distance between the semiconductor manufacturing line and the TCAD group, which exists in nearly each semiconductor production company. Special attention has to be paid to the transfer of the operational work flow sequences to the TCAD system in a similar form.
This new system enables non-specialized engineers to profit from the advantages of a theoretical evaluation through the closely integrated TCAD framework.
In this work the overall situation of both worlds was analyzed and categorized in a structured, hierarchical way. A consistent and effective TCAD work flow was set up. The necessary information for this work flow was identified. Additionally the existing data interfaces between manufacturing and simulation were analyzed and their structure and coupling nodes were represented.
In the following the interfaces between TCAD and manufacturing, identified thereby, were subject to a more throughout analysis and finally an integrated interface system between the two "worlds" was implemented. A strong emphasis was put on the border condition that all available TCAD software packages could be used together with this new integrated interface system. In order to be able to generate the necessary input information for simulations as automatically and resistant to errors as possible, based on this analysis a compact set of converters and data transfer procedures was defined. The interaction with the user of the TCAD system was limited to the absolutely necessary minimum. This led to a strong improvement of the quality, reliability and also predictability of the results of the TCAD simulations.
The converters were integrated into the entire TCAD work flow. Several examples of nearly each aspect of the typical TCAD work flow show the most important effects of this new approach. In addition, during the development of new process technologies, particularly for the support of typical production problems (like yield problems in the manufacturing) this approach has been tested successfully. Furthermore, optimizations of furnace programs (a task which may frequently occur during manufacturing of qualified processes too) have been performed. The use of diffraction correction calculation for a better representation of interconnect structures could be shown. Thus a substantial improvement in the computation of parasitic elements, the optimization of an EEPROM cell and the three-dimensional simulation of a lateral pin diode could be obtained. As a further application area the inverse modeling of a polycrystalline fuse was shown. The difficult to measure thermoelectric material parameters of the materials used in the fuse (e.g. tungsten, titanium, titanium nitride) were determined through inverse modeling.
Finally the use of technology simulation within the area of statistic process control was demonstrated.
The work closes with a short outlook and open problems.

Die Fertigung von integrierten Schaltkreisen ist heutzutage ein Milliardendollargeschäft und einer der kompliziertesten Industriezweige der Welt.
Historisch gesehen haben sich die Entwicklungskosten für das Einführen einer neuen Prozesstechnologie (eines neuen Technologieknotens) ständig erhöht. Diese Tendenz wird durch den Eintritt in den Bereich der Nanotechnologie mit seinen in hohem Grade schwierigen neuen Lithographieprozessen noch weiter beschleunigt. Um diesen Trend unter Kontrolle halten zu können, hat Computergestützte Technologiesimulation (TCAD) immer mehr an Bedeutung gewonnen.
Dieser Ansatz der "frühest möglichen" Entwicklung, hat die Geschwindigkeit und die Qualität der Verfahrenstechnikentwicklung des Halbleiters erheblich verbessert. Weiters konnten dadurch auch die Entwicklungskosten für die Einführung einer neuen Technologiegeneration signifikant reduziert werden (35% im Jahr 2005 [1]).
Derzeit ist TCAD eine sehr spezialisierte Vorgehensweise für eine kleine Gruppe von Ingenieuren innerhalb der Halbleiterfirmen. Die konsequente Nutzung dieser Methode im Bereich der Fertigungssteuerung steckt trotz des großen Einsparungspotentials noch in den Kinderschuhen.
Technologiesimulation hat bis heute den Sprung, von einem Werkzeug für eine kleine Gruppe von Spezialisten zu einem bei Routinetätigkeiten eingesetzten Werkzeug für eine größere Anzahl von Anwendern im Halbleiterfertigungsbereich, noch nicht geschafft.
Hauptprobleme bei der breiteren Nutzung entstehen durch die komplexe oft wenig intuitive Benutzung der Werkzeuge, die aufwendigen zugrunde liegenden Modellansätze und vor allem durch die fehlende Integration in den Arbeitsablauf in einer modernen Halbleiterfertigungslinie.
Diese Arbeit zielt darauf ab, die Distanz zwischen der Halbleiter-Fertigungsline und der TCAD Gruppe, die in fast jeder Halbleiterproduktionsfirma existiert, zu überbrücken. Dabei kommt der Übertragung von bereits vorhandenen Strukturen und Arbeitsabläufen in gespiegelter Form auf das TCAD System ein besonderer Stellenwert zu.
Das dabei entstandene, in die Fertigung eng integrierte, Simulationssystem ermöglicht es auch, nichtspezialisierten Ingenieuren von den Vorteilen der Technologiesimulation zu profitieren.
In dieser Arbeit wurde die Gesamtsituation beider Welten analysiert und in einer strukturierten, hierarchischen Weise kategorisiert. Ein konsistenter und effektiver TCAD Arbeitsfluss wurde aufgesetzt. Die notwendigen Informationen für diesen Arbeitsfluss wurden identifiziert.
Zusätzlich wurden die bestehenden Datenschnittstellen zwischen Fertigung und Simulation analysiert und deren Struktur und Verknüpfungspunkte dargestellt.
Die dabei identifizierten Schnittstellen zwischen TCAD und Fertigung wurden nachfolgend einer genaueren Analyse unterzogen und schlussendlich ein integriertes Schnittstellensystem zwischen den beiden "Welten" implementiert. Es wurde darauf Wert gelegt, das dieses integrierte Schnittstellensystem für die Gemeinsamkeiten aller verfügbaren TCAD Softwarepakete verwendet werden kann.
Um die notwendigen Eingabeinformationen für Simulationen möglichst automatisch und fehlerminimierend generieren zu können, wurde basierend auf dieser Analyse ein kompakter Satz von Konvertern und Datentransfer-Prozeduren definiert. Die Interaktion mit dem Benutzer des TCAD Systems wurde auf das absolut notwendige Minimum beschränkt. Dies führte zu einer starken Verbesserung der Qualität, Zuverlässigkeit und auch Vorhersagbarkeit der Resultate der TCAD Simulationen.
Die Konverter wurden in den gesamten TCAD Arbeitsfluss integriert.
Mehrere Beispiele für fast jeden Aspekt des typischen TCAD Arbeitsflusses zeigen die wichtigsten Auswirkungen dieses neuen Ansatzes. Während der Entwicklung von neuen Prozesstechnologien aber auch speziell zur Unterstützung von typischen Produktionsproblemen (wie Ausbeuteproblemen in der Fertigung) konnte dieser Ansatz erfolgreich angewendet werden. Weiters wurden damit Optimierungen von Ofenprogrammen (ein auch im Routinebetrieb einer Halbleiterfertigung immer wieder auftretender Fall) durchgeführt. Es konnte die Verwendung von Beugungskorrekturrechnung für eine genauere Darstellung von Verbindungsstrukturen gezeigt werden. Dadurch konnte eine wesentliche Verbesserung in der Berechnung von parasitären Elementen, der Optimierung einer EEPROM Zelle und der drei-dimensionalen Simulation einer lateralen PIN Diode erzielt werden.Als ein weiterer Anwendungsbereich wurde die inverse Modellierung einer polykristallinen Fuse gezeigt. Dabei wurden sehr schwer messbare thermo-elektrische Materialparameter von in der Fuse verwendeten Materialien (Wolfram, Titan, Titannitrid) über inverse Modellierung bestimmt. Abschließend wurde die Verwendung von Technologiesimulation im Bereich der statistischen Prozesskontrolle dargelegt.
Die Arbeit schließt mit einem kurzen Ausblick auf zukünftige Perspektiven und noch offene Probleme.
Keywords: Technologiesimulation; TCAD; Integration; Halbleiterfertigung; Integrierte Schaltkreise; Simulation; Halbleiter
TCAD; Integration; Semiconductor Manufacturing; Integrated Circuits; Simulation; Semiconductors
URI: https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439
http://hdl.handle.net/20.500.12708/20404
DOI: 10.34726/hss.2006.5439
Library ID: AC05031802
Organisation: E360 - Institut für Mikroelektronik 
Publication Type: Thesis
Hochschulschrift
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