Datensatz Zitierlink: 
https://doi.org/10.34726/hss.2025.130326
http://hdl.handle.net/20.500.12708/215104
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Titel: 
Analysis of device behaviour of single and multi finger SCRs with buried doping layers in experiment and TCAD
en
Zitat: 
Krainer, R. (2025). Analysis of device behaviour of single and multi finger SCRs with buried doping layers in experiment and TCAD [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2025.130326
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reposiTUm-DOI: 
10.34726/hss.2025.130326
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CatalogPlus: 
AC17513005
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Publikationstyp: 
Hochschulschrift - Dissertation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Krainer, Rudolf 
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Betreuer_in: 
Pogany, Dionyz 
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Organisations­einheit: 
E362 - Institut für Festkörperelektronik 
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Datum (veröffentlicht): 
2025
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Umfang: 
132
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Keywords: 
ESD protection device; ESD robustness; silicon controlled rectifier (SCR); I-V hysteresis; multi finger device; TCAD simulation; emission microscopy; transient interferometric mapping
en
Lizenz: 
Urheberrechtsschutz
de
Enthalten in den Sammlungen:
Thesis

Krainer Rudolf - 2025 - Analysis of device behaviour of single and multi finger...pdf
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Embargo. Zugriff ab 30.04.2027
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