Doping profiling and scanning electron microscopy on SiC devices

Moser, Maximilian Alexander

doi:10.34726/hss.2025.106907

Record link:

https://doi.org/10.34726/hss.2025.106907
http://hdl.handle.net/20.500.12708/219571

Title:

Doping profiling and scanning electron microscopy on SiC devices

Citation:

Moser, M. A. (2025). Doping profiling and scanning electron microscopy on SiC devices [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2025.106907

reposiTUm DOI:

10.34726/hss.2025.106907

CatalogPlus:

AC17652290

Publication Type:

Thesis - Dissertation

Language:

English

Authors:

Moser, Maximilian Alexander

Advisor:

Smoliner, Jürgen

Referee:

Sistani, Masiar
Stöger-Pollach, Michael

Organisational Unit:

E362 - Institut für Festkörperelektronik

Date (published):

2025

Number of Pages:

111

Keywords:

Rasterelektronenmikroskopie; SiC; Dotieungsrprofile

Scanning Electron Microscopy; SiC; Doping profiling

Additional information:

Arbeit an der Bibliothek noch nicht eingelangt - Daten nicht geprueft - gesperrte Arbeit (bis 2027-07-24+02:00)
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers

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