Datensatz Zitierlink: 
https://doi.org/10.34726/hss.2026.137790
http://hdl.handle.net/20.500.12708/225277
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Titel: 
Hard switching reliability and short circuit robustness of lateral high voltage GaN HEMTs
en
Zitat: 
Wieland, D. (2026). Hard switching reliability and short circuit robustness of lateral high voltage GaN HEMTs [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2026.137790
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reposiTUm-DOI: 
10.34726/hss.2026.137790
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CatalogPlus: 
AC17755386
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Publikationstyp: 
Hochschulschrift - Dissertation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Wieland, Dominik 
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Betreuer_in: 
Pogany, Dionyz 
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Organisations­einheit: 
E362 - Institut für Festkörperelektronik 
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Datum (veröffentlicht): 
2026
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Umfang: 
140
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Keywords: 
GaN; GaN HEMT; short circuit; short circuit robustness; hole injection; GaN reliability
en
Lizenz: 
Urheberrechtsschutz
de
Enthalten in den Sammlungen:
Thesis

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Open Access Urheberrechtsschutz
Embargo. Zugriff ab 30.11.2027
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