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Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/76263
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Titel: 
Incorporation of B into BGaAs layers for strain engineering
en
Zitat: 
Strasser, G., Detz, H., MacFarland, D., Potocek, M., Lancaster, S., Zederbauer, T., Andrews, A. M., & Schrenk, W. (2018). Incorporation of B into BGaAs layers for strain engineering. In Proceedings of the 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (p. 73). http://hdl.handle.net/20.500.12708/76263
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Poster Contribution
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Strasser, Gottfried 
Detz, Hermann 
MacFarland, Donald 
Potocek, Michal 
Lancaster, Suzanne 
Zederbauer, Tobias 
Andrews, Aaron Maxwell 
Schrenk, Werner 
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Organisations­einheit: 
E362 - Institut für Festkörperelektronik 
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Erschienen in: 
Proceedings of the 34th International Conference on the Physics of Semiconductors 
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Datum (veröffentlicht): 
2018
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Veranstaltungs­name: 
ICPS 2018 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
29-Jul-2018 - 3-Aug-2018
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Veranstaltungs­ort: 
Montpellier, Frankreich
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Umfang: 
1
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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