Molybdenum disulfide and black phosphorus based heterojunction

Abstract

Dünne Schichten aus Molybdän(IV)-sulfid und schwarzem Phosphor werden verwendet um eine p-n Diode zu fabrizieren. Die Materialien werden mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie, Photolumineszenz und Raman Spektroskopie charakterisiert. Elektrische Messungen deuten darauf hin, dass die Rekombination an der Grenzfläche den wichtigsten Beitrag zum Stromfluss über das Bauteil liefert.

Thin layers of molybdenum disulfide and black phosphorus are used to fabricate a p-n diode. The materials were characterized by the means of atomic force microscopy, photoluminescence and Raman spectroscopy. Electrical measurements indicate that carrier recombination at the interface is the most important contributor to the current across the device.