Preisinger, S. (2015). Molybdenum disulfide and black phosphorus based heterojunction [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/78760
Kondensierte Materie; Halbleiterphysik; Dünne Schichten; Van der Waals Materialien; p-n Diode; Heteroübergang; Schwarzer Phosphor; Moylbdändisulfid; 2D Materialien
de
condensed matter; semiconductor physics; thin layers; Van der Waals materials; p-n diode; heterojunction; black phosphorus; molybdenum disulfide; 2D materials
en
Abstract:
Dünne Schichten aus Molybdän(IV)-sulfid und schwarzem Phosphor werden verwendet um eine p-n Diode zu fabrizieren. Die Materialien werden mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie, Photolumineszenz und Raman Spektroskopie charakterisiert. Elektrische Messungen deuten darauf hin, dass die Rekombination an der Grenzfläche den wichtigsten Beitrag zum Stromfluss über das Bauteil liefert.
de
Thin layers of molybdenum disulfide and black phosphorus are used to fabricate a p-n diode. The materials were characterized by the means of atomic force microscopy, photoluminescence and Raman spectroscopy. Electrical measurements indicate that carrier recombination at the interface is the most important contributor to the current across the device.
en
Additional information:
Abweichender Titel laut Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers Zsfassung in dt. Sprache
