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http://hdl.handle.net/20.500.12708/81243
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Titel: 
Physical Characterization of Dislocations in III-N Semiconductors including Quantification and Classification
en
Zitat: 
Scales, Z., Reisinger, M., Taylor, A., Nelhiebel, M., & Stöger-Pollach, M. (2022, November 24). Physical Characterization of Dislocations in III-N Semiconductors including Quantification and Classification [Poster Presentation]. Infineon meets University, München, Germany. http://hdl.handle.net/20.500.12708/81243
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Publikationstyp: 
Vortrag - Poster-Präsentation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Scales, Ze 
Reisinger, Michael 
Taylor, Aidan 
Nelhiebel, Michael 
Stöger-Pollach, Michael 
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Organisations­einheit: 
E057-02 - Fachbereich Universitäre Serviceeinrichtung für Transmissions- Elektronenmikroskopie 
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Datum (veröffentlicht): 
24-Nov-2022
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Veranstaltungs­name: 
Infineon meets University 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
24-Nov-2022
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Veranstaltungs­ort: 
München, Deutschland
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Keywords: 
EELS; CL; TEM
en
Forschungs­infrastruktur: 
Universitäre Service-Einrichtung für Transmissionselektronenmikroskopie 
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Projekttitel: 
Multidisziplinäre Charakterisierung & Modellierung für innovative Prozess- & Produktintegration von Leistungshalbleitern: 6000010595 (Infineon Technologies Ausria AG) 
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Forschungs­schwerpunkte: 
Materials Characterization: 50%
Non-metallic Materials: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
2100 - Nanotechnologie: 25%
1030 - Physik, Astronomie: 50%
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 25%
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Enthalten in den Sammlungen:
Presentation

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