International Reliability Physics Symposium (IRPS)

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Description

Event name
International Reliability Physics Symposium (IRPS)
 
Event type
Event for scientific audience
 
Start date
15-04-2007
End date
19-04-2007
 
Location
Phoenix
Country
 
Event format Veranstaltungsformat
On Site

Publications Publikationen

Filter:
Author:  Kaczer, Ben

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Illarionov, Yury ; Bina, Markus ; Tyaginov, S. E. ; Rott, K. ; Reisinger, H. ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor A Reliable Method for the Extraction of the Lateral Position of Defects in Ultra-scaled MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2014
2Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben ; Gös, Wolfgang ; Aichinger, T. ; Hehenberger, Philipp Paul ; Nelhiebel, M. A Two-Stage Model for Negative Bias Temperature InstabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2009
3Grasser, Tibor ; Rott, K. ; Reisinger, H. ; Waltl, Michael ; Franco, J. ; Kaczer, Ben A unified perspective of RTN and BTIKonferenzbeitrag Inproceedings2014
4Grasser, Tibor ; Rott, K. ; Reisinger, H. ; Wagner, Paul-Jürgen ; Gös, Wolfgang ; Schanovsky, Franz ; Waltl, Michael ; Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben Advanced Characterization of Oxide Traps: The Dynamic Time-Dependent Defect SpectroscopyKonferenzbeitrag Inproceedings2013
5Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben ; Gös, Wolfgang An Energy-Level Perspective of Bias Temperature InstabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2008
6Kaczer, Ben ; Mahato, S. ; Valduga de Almeida Camargo, V. ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Catthoor, F. ; Dobrovolny, P. ; Zuber, P. ; Wirth, G.I. ; Groeseneken, G. Atomistic Approach to Variability of Bias-Temperature Instability in Circuit SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2011
7Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Simoen, E. ; Degraeve, R. ; Franco, J. ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Groeseneken, G. Correlation of Single Trapping and Detrapping Effects in Drain and Gate Currents of Nanoscaled nFETs and pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
8Weckx, P. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Kukner, H. ; Raghavan, P. ; Catthoor, F. ; Groeseneken, G. Defect-based Methodology for Workload-dependent Circuit Lifetime Projections - Application to SRAMKonferenzbeitrag Inproceedings2013
9Hehenberger, Philipp Paul ; Aichinger, T. ; Grasser, Tibor ; Gös, Wolfgang ; Triebl, Oliver ; Kaczer, Ben ; Nelhiebel, M. Do NBTI-Induced Interface States Show Fast Recovery? A Study Using a Corrected On-The-Fly Charge-Pumping Measurement TechniqueKonferenzbeitrag Inproceedings2009
10Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Mitard, J. ; Ragnarsson, L. A. ; Witters, L. ; Chiarella, T. ; Togo, M. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. ; Bukhori, Muhammad Faiz ; Grasser, Tibor ; Asenov, A Impact of Single Charged Gate Oxide Defects on the Performance and Scaling of Nanoscaled FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2012
11Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Cho, M. ; Eneman, G. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Improvements of NBTI Reliability in SiGe p-FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
12Kaczer, Ben ; Chen, C. ; Weckx, P. ; Roussel, Ph. J. ; Toledano-Luque, M. ; Cho, M. ; Watt, J. T. ; Chanda, K. ; Groeseneken, G. ; Grasser, Tibor Maximizing reliable performance of advanced CMOS circuits-A case studyKonferenzbeitrag Inproceedings2014
13Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Martin-Martinez, J. ; Simoen, E. ; Aoulaiche, M. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. NBTI from the Perspective of Defect States with Widely Distributed Time ScalesKonferenzbeitrag Inproceedings2009
14Franco, Jacopo ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe J. ; Bury, Erik ; Mertens, Hans ; Ritzenthaler, Romain ; Grasser, Tibor ; Horiguchi, Naoto ; Thean, Aaron ; Groeseneken, Guido NBTI in Si<inf>0.55</inf>Ge<inf>0.45</inf> cladding p-FinFETs: Porting the superior reliability from planar to 3D architecturesKonferenzbeitrag Inproceedings2015
15Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben ; Reisinger, H. ; Wagner, Paul-Jürgen ; Toledano-Luque, M. On the Frequency Dependence of the Bias Temperature InstabilityKonferenzbeitrag Inproceedings2012
16Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Roussel, Ph. J. ; Franco, J. ; Degraeve, R. ; Ragnarsson, L. A. ; Simoen, E. ; Groeseneken, G. ; Reisinger, H. Origin of NBTI Variability in Deeply Scaled pFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2010
17Tyaginov, S. E. ; Bina, Markus ; Franco, J. ; Osintsev, Dimitry ; Triebl, Oliver ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Physical Modeling of Hot-Carrier Degradation for Short- and Long-channel MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2014
18Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Toledano-Luque, M. ; Roussel, Ph. J. ; Groeseneken, G. ; Schwarz, Benedikt ; Bina, Markus ; Waltl, Michael ; Wagner, Paul-Jürgen ; Grasser, Tibor Reduction of the BTI Time-Dependent Variability in Nanoscaled MOSFETs by Body BiasKonferenzbeitrag Inproceedings2013
19Toledano-Luque, M. ; Kaczer, Ben ; Roussel, Ph. J. ; Grasser, Tibor ; Wirth, G.I. ; Franco, J. ; Vrancken, C. ; Horiguchi, N. ; Groeseneken, G. Response of a Single Trap to AC Negative Bias Temperature StressKonferenzbeitrag Inproceedings2011
20Grasser, Tibor ; Aichinger, T. ; Pobegen, G. ; Reisinger, H. ; Wagner, Paul-Jürgen ; Franco, J. ; Nelhiebel, M. ; Kaczer, Ben The 'Permanent' Component of NBTI: Composition and AnnealingKonferenzbeitrag Inproceedings2011