Conference of Nitride Semiconductors (ICNS)

Event name
Conference of Nitride Semiconductors (ICNS)
 
Event type
Event for scientific audience
 
Start date
16-09-2007
End date
21-09-2007
 
Location
Las Vegas, USA
Country
 
Event format Veranstaltungsformat
On Site

Publications Publikationen

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Ostermaier, Clemens ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Gornik, Erich ; Pogany, Dionyz Analysis od degradation mechanisms in InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2009
2Leconte, S ; Golka, Sebastian ; Pozzovivo, Gianmauro ; Strasser, Gottfried ; Monroy, Eva Bi-stable behaviour in GaN-based resonant tunneling diode structuresPräsentation Presentation2007
3Kheirodin, N ; Nevou, L ; Machhadani, H ; Tchernycheva, M ; Lupu, A ; Julien, F.H. ; Crozat, P ; Meignien, L ; Warde, E ; Vivien, L ; Pozzovivo, Gianmauro ; Golka, Sebastian ; Strasser, Gottfried ; Guillot, G. ; Monroy, Eva ; Remmele, T ; Albrecht, M Electro-optical intersubband modulators at telecommunication wavelengths based on GaN/AlN quantum wellsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
4Tapajna, Milan ; Cico, Karol ; Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Pogany, Dionyz ; Abermann, Stephan ; Bertagnolli, Emmerich ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Fröhlich, Karol Evaluation of the interface state Density on Ni/ZrO2/InAlN/GaN MOS contactsKonferenzbeitrag Inproceedings2008
5Macchadani, H ; Tchernycheva, M ; Nevou, L ; Mangeney, J ; Warde, E ; Julien, F.H. ; Kandaswamy, P ; Wirthmuller, A ; Monroy, Eva ; Vardi, A ; Schacham, S ; Bahir, G ; Pozzovivo, Gianmauro ; Golka, Sebastian ; Strasser, Gottfried GaN/AlGaN nanostructures for intersubband optoelectronicsPräsentation Presentation2009
6Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Abermann, Stephan ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Grandjean, Nicolas ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Gate insulation and current collapse suppression in InAlN/GaN HEMTs using High-k dielectricsKonferenzbeitrag Inproceedings2007
7Cico, Karol ; Jurkovic, M ; Gregusova, Dagmar ; Kuzmik, Jan ; Alexewicz, Alexander ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried ; Delage, S.L. ; Fröhlich, Karol Impact of forming gas annealing on electrical characteristics of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivationPräsentation Presentation2011
8Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Golka, Sebastian ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate insulation prepared by CVDKonferenzbeitrag Inproceedings2007
9Pozzovivo, Gianmauro ; Kuzmik, Jan ; Liday, J. ; Giesen, C. ; Heuken, M ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Low resistance ohmic contacts annealed at 600 C on InAlN/GaN heterostructure with SiCl4 reactive ion etching treatmentKonferenzbeitrag Inproceedings2008
10Kuzmik, Jan ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Feltin, Eric ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz Off-state breakdown in InAlN/GaN HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings2008
11Kuzmik, Jan ; Ostermaier, C ; Alexewicz, Alexander ; Carlin, Jean-François ; Grandjean, Nicolas ; Dua, C ; Delage, S.L. ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Gornik, Erich Study of electrical performance and degradation of double-heterostructure InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN transitorsPräsentation Presentation2011
12Ostermaier, Clemens ; Ahn, Sangil ; Potzger, Kay ; Helm, Manfred ; Kuzmik, Jan ; Pogany, Dionyz ; Strasser, Gottfried ; Lee, Jong-Ho ; Hahm, Sung-Ho ; Lee, Jung-Hee Studyo f Si implantationin to Mg-dopedG aNf or MOSFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2009
13Ostermaier, Clemens ; Pozzovivo, Gianmauro ; Carlin, Jean-François ; Basnar, Bernhard ; Schrenk, Werner ; Cico, Karol ; Fröhlich, Karol ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Strasser, Gottfried ; Pogany, Dionyz ; Kuzmik, Jan Thermally Stable InAIN/GaN Enhancement-Mode HEMTs with highly doped GaN CapKonferenzbeitrag Inproceedings2009
14Koller, Christian ; Pobegen, Gregor ; Ostermaier, C ; Huber, M. ; Pogany, Dionyz Transient capacitance analysis of thin carbon doped GaN layersPräsentation Presentation2017