Journal of Crystal Growth

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Journal description

Title Titel
Journal of Crystal Growth
 
e-ISSN
1873-5002
 
ISSN
0022-0248
 
Publisher Herausgeber
ELSEVIER
 

Publications Publikationen

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Author:  Schrenk, Werner

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Detz, H. ; Klang, P. ; Andrews, A.M. ; Lugstein, A. ; Steinmair, M. ; Hyun, Y.J. ; Bertagnolli, E. ; Schrenk, W. ; Strasser, G. Growth of one-dimensional III-V structures on Si nanowires and pre-treated planar Si surfacesArtikel Article2009
2Detz, H. ; MacFarland, D. ; Zederbauer, T. ; Lancaster, S. ; Andrews, A.M. ; Schrenk, W. ; Strasser, G. Growth rate dependence of boron incorporation into BxGa1-xAs layersArtikel Article 2017
3Andrews, Aaron Maxwell ; Klang, Pavel ; Krzyzanowski, Remigiusz ; Schramböck, Matthias ; Detz, Hermann ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried Improving size distribution of InAs quantum dots for intersubband devicesArtikel Article2009
4Bakali-2022-Journal of Crystal Growth-vor.pdf.jpgBakali, Emine ; Artner, Werner ; Beiser, M. ; Bernardi, Johannes ; Detz, Hermann ; Eguchi, G. ; Foelske, Annette ; Giparakis, Miriam ; Herzig, Christopher ; Limbeck, Andreas ; Nguyen, Duy Ha ; Prochaska, Lukas ; Prokofiev, A. ; Sauer, Markus ; Schwarz, Sabine ; Schrenk, Werner ; Strasser, Gottfried ; Svagera, R. ; Taupin, M. ; Steiger-Thirsfeld, Andreas ; Waas, M. ; Yan, Xinlin ; Zocco, Diego Andres ; Andrews, Aaron Maxwell ; Bühler-Paschen, Silke A Knudsen cell approach for the molecular beam epitaxy of the heavy fermion compound YbRh2Si2Article Artikel 1-Oct-2022
5Detz, H. ; Klang, P. ; Andrews, A.M. ; Schrenk, W. ; Strasser, G. Si doping of MBE grown bulk GaAsSb on InPArtikel Article2011