Institut für Mikroelektronik

Organization Name (de) Name der Organisation (de)
E360 - Institut für Mikroelektronik
 
Code Kennzahl
E360
 
Type of Organization Organisationstyp
Institute
Parent OrgUnit Übergeordnete Organisation
 
Active Aktiv
 


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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
141Waltl, Michael ; Hernandez, Yoanlys ; Schleich, Christian ; Waschneck, Katja ; Stampfer, Bernhard ; Reisinger, Hans ; Grasser, Tibor Performance Analysis of 4H-SiC Pseudo-D CMOS Inverter Circuits Employing Physical Charge Trapping ModelsArtikel Article 2022
142Waltl, Michael ; Hernandez, Yoanlys ; Schleich, Christian ; Waschneck, Katja Anna ; Stampfer, Bernhard ; Reisinger, H. ; Grasser, Tibor Performance Analysis of 4H-SiC Pseudo-D CMOS Inverter Circuits Employing Physical Charge Trapping ModelsBuchbeitrag Book Contribution 2022
143Orio, Roberto ; Ender, Johannes ; Goes, Wolfgang ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor About the Switching Energy of a Magnetic Tunnel Junction determined by Spin-Orbit Torque and Voltage-Controlled Magnetic AnisotropyKonferenzbeitrag Inproceedings 2022
144Fiorentini, Simone ; Loch, Wilton Jaciel ; Bendra, Mario ; Jørstad, Nils Petter ; Ender, Johannes ; Orio, Roberto ; Hadámek, Tomás ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Design Analysis of Ultra-Scaled MRAM CellsKonferenzbeitrag Inproceedings 2022
145Weinbub, Josef Wigner Signed Particles for Electron Quantum OpticsPräsentation Presentation2022
146Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Orio, Roberto ; Hadámek, Tomás ; Loch, Wilton Jaciel ; Jørstad, Nils Petter ; Selberherr, Siegfried Modeling Advanced Magnetoresistive Memory: A Journey from Finite Element Methods to Machine Learning ApproachesKonferenzbeitrag Inproceedings2022
147Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Spin Transfer Torque Evaluation Based on Coupled Spin and Charge Transport: A Finite Element Method ApproachKonferenzbeitrag Inproceedings2022
148Sverdlov, Viktor Modeling Ultra-Scaled Magnetoresistive Memory CellsKonferenzbeitrag Inproceedings2022
149Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Orio, Roberto ; Hadámek, Tomás ; Loch, Wilton Jaciel ; Jørstad, Nils Petter ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Emerging Devices for Digital SpintronicsKonferenzbeitrag Inproceedings2022
150Schleich Christian - 2022 - Modeling of defect related reliability phenomena in...pdf.jpgSchleich, Christian Modeling of defect related reliability phenomena in SiC power-MOSFETsThesis Hochschulschrift 2022
151Sverdlov, Viktor ; Seiler, Heribert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Illarionov, Yury ; Kosina, Hans ; Selberherr, Siegfried Edge Modes in Narrow Nanoribbons of Transition Metal Dichalcogenides in a Topological 1TKonferenzbeitrag Inproceedings 2022
152Wilhelmer, Christoph ; Waldhör, Dominic ; Jech, Markus ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Cvitkovich, Lukas ; Waltl, Michael ; Grasser, Tibor Ab-Initio Study of Multi-State Defects in Amorphous SiO2Konferenzbeitrag Inproceedings2022
153Cvitkovich, Lukas ; Waldhör, Dominic ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Wilhelmer, Christoph ; Grasser, Tibor Ab-Initio Modeling of the Initial Stages of Si(100) Thermal OxidationKonferenzbeitrag Inproceedings2022
154Milardovich, Diego ; Jech, Markus ; Waldhoer, Dominic ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Grasser, Tibor Machine Learning Prediction of Defect Structures in Amorphous Silicon DioxideKonferenzbeitrag Inproceedings2022
155Illarionov, Yury ; Uzlu, B. ; Knobloch, Theresia ; Banshchikov, A. G. ; Sverdlov, Viktor ; Vexler, M.I. ; Sokolov, N. S. ; Waltl, Michael ; Wang, Z. ; Neumaier, Daniel ; Lemme, M.C. ; Grasser, Tibor CVD-GFETs with Record-small Hysteresis Owing to 2nm Epitaxial CaF2 InsulatorsKonferenzbeitrag Inproceedings2022
156Stephanie, Margareta V. ; Waltl, Michael ; Grasser, Tibor ; Schrenk, Bernhard WDM-Conscious Synaptic Receptor Assisted by SOA+EAMKonferenzbeitrag Inproceedings 2022
157Illarionov, Yury ; Knobloch, Theresia ; Uzlu, B. ; Sokolov, N. S. ; Lemme, Max C ; Grasser, Tibor Highly stable GFETs with 2nm crystalline CaF2 insulatorsPräsentation Presentation2022
158Michl Jakob Daniel - 2022 - Charge trapping and variability in CMOS technologies...pdf.jpgMichl, Jakob Daniel Charge trapping and variability in CMOS technologies at cryogenic temperaturesThesis Hochschulschrift 2022
159Illarionov, Yury ; Knobloch, Theresia ; Waltl, Michael ; Smets, Q ; Panarella, L ; Kaczer, Ben ; Schram, Tom ; Brems, S ; Cott, D. ; Asselberghs, Inge ; Grasser, Tibor Top Gate Length Dependence of Hysteresis in 300mm FAB MoS2 FETsPräsentation Presentation2022
160Hadámek, Tomás ; Fiorentini, Simone ; Bendra, Mario ; Orio, Roberto ; Loch, Wilton Jaciel ; Jorstad, Nils Petter ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Temperature Modeling in STT-MRAM:A Fully Three-Dimensional Finite Element ApproachKonferenzbeitrag Inproceedings 2022