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Toifl, Alexander
 
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1Reiter, Tobias ; Toifl, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Filipovic, Lado Modeling Oxide Regrowth During Selective Etching in Vertical 3D NAND StructuresInproceedings Konferenzbeitrag20-Nov-2023
2Aguinsky, Luiz Felipe ; Toifl, Alexander ; Souza Berti Rodrigues, Francio ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef A Modern Formulation of Knudsen Diffusion with Applications to NanofabricationInproceedings Konferenzbeitrag 1-Sep-2023
3Lenz, Christoph ; Toifl, Alexander ; Quell, Michael ; Rodrigues, Francio ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Curvature Based Feature Detection for Hierarchical Grid Refinement in TCAD Topography SimulationsArtikel Article 2022
4Toifl, A ; Rodrigues, F ; Aguinsky, L F ; Hössinger, A ; Weinbub, J Continuum Level-Set Model for Anisotropic Wet Etching of Patterned Sapphire SubstratesArtikel Article 2021
5Rodrigues, Francio ; Aguinsky, Luiz Felipe ; Toifl, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Feature Scale Modeling of Fluorocarbon Plasma Etching for Via Structures including Faceting PhenomenaKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
6Lenz, Christoph ; Toifl, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Curvature Based Feature Detection for Hierarchical Grid Refinement in TCAD Topography SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
7Rodrigues, Francio ; Aguinsky, Luiz Felipe ; Toifl, Alexander ; Scharinger, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Surface Reaction and Topography Modeling of Fluorocarbon Plasma EtchingKonferenzbeitrag Inproceedings2021
8Toifl Alexander - 2021 - Numerical methods for three-dimensional selective...pdf.jpgToifl, Alexander Numerical methods for three-dimensional selective epitaxy and anisotropic wet etching simulationsThesis Hochschulschrift 2021
9Aguinsky, Luiz Felipe ; Wachter, Georg ; Scharinger, Alexander ; Rodrigues, Francio ; Toifl, Alexander ; Trupke, Michael ; Schmid, Ulrich ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Feature-Scale Modeling of Low-Bias SF₆ Plasma Etching of SiKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
10Toifl, Alexander ; Quell, Michael ; Klemenschits, Xaver ; Manstetten, Paul ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef The Level-Set Method for Multi-Material Wet Etching and Non-Planar Selective EpitaxyArtikel Article 22-Jun-2020
11Toifl, Alexander Physical Process TCAD: Victory Process' Crystal Anisotropy EngineKonferenzbeitrag Inproceedings2020
12Toifl, Alexander ; Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Grasser, Tibor ; Weinbub, Josef Simulation of the Effects of Postimplantation Annealing on Silicon Carbide DMOSFET CharacteristicsArtikel Article 2019
13Manstetten, Paul ; Diamantopoulos, Georgios ; Gnam, Lukas ; Aguinsky, Luiz Felipe ; Quell, Michael ; Toifl, Alexander ; Scharinger, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Ballicchia, Mauro ; Nedjalkov, Mihail ; Weinbub, Josef High Performance TCAD: From Simulating Fabrication Processes to Wigner Quantum TransportKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
14Diamantopoulos, Georgios ; Manstetten, Paul ; Gnam, Lukas ; Simonka, Vito ; Aguinsky, Luiz Felipe ; Quell, Michael ; Toifl, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Weinbub, Josef Recent Advances in High Performance Process TCADKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
15Quell, Michael ; Toifl, Alexander ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef Parallelized Level-Set Velocity Extension Algorithm for Nanopatterning ApplicationsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
16Toifl, Alexander ; Quell, Michael ; Hössinger, Andreas ; Babayan, Artem ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef Novel Numerical Dissipation Scheme for Level-Set Based Anisotropic Etching SimulationsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
17Toifl, Alexander Modeling and simulation of thermal annealing of implanted GaN and SiCThesis Hochschulschrift2018
18Toifl, Alexander ; Simonka, Vito ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef Steady-State Empirical Model for Electrical Activation of Silicon-Implanted Gallium NitrideKonferenzbeitrag Inproceedings2018
19Šimonka, V. ; Toifl, A. ; Hössinger, A. ; Selberherr, S. ; Weinbub, J. Transient Model for Electrical Activation of Aluminium and Phosphorus-Implanted Silicon CarbideArtikel Article 2018