Name Card

Full name Familienname, Vorname
Bendra, Mario
 
Main Affiliation Organisations­zuordnung
 

Own Publications Eigene Publikationen

Results 1-20 of 54 (Search time: 0.003 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Bendra-2024-Solid-State Electronics-vor.pdf.jpgBendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Wolfgang Goes ; Sverdlov, Viktor A multi-level cell for ultra-scaled STT-MRAM realized by back-hoppingArticle Artikel Jan-2025
2Pruckner, Bernhard ; Jørstad, Nils Petter ; Bendra, Mario ; Hadamek, Tomas ; Wolfgang Goes ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Simulation of Advanced MRAM Devices for sub-ns SwitchingInproceedings KonferenzbeitragOct-2024
3Sverdlov, Viktor ; Jorstad, Nils Petter ; Bendra, Mario ; Pruckner, Bernhard ; Hadamek, Tomas ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Modeling Spin and Charge Transport in Magnetic Multilayers: From Emerging Memories to Terahertz EmittersInproceedings Konferenzbeitrag10-Jun-2024
4Bendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Wolfgang Goes ; Sverdlov, Viktor Influence of Interface Exchange Coupling in Multilayered Spintronic StructuresPresentation Vortrag25-May-2024
5Bendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Influence of Interface Exchange Coupling in Multilayered Spintronic StructuresInproceedings Konferenzbeitrag 20-May-2024
6Bendra-2024-Micromachines-vor.pdf.jpgBendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Advanced modeling and simulation of multilayer spin–transfer torque magnetoresistive random access memory with interface exchange couplingArticle Artikel May-2024
7Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Interlayer Exchange Coupling for Enhanced Performance in Spin-Transfer Torque MRAM DevicesInproceedings Konferenzbeitrag 2024
8Bendra, Mario ; Pruckner, Bernhard ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Advancing Nonvolatile Memory Technologies: Enhancing Reliability and Performance through Double Spin Torque Magnetic Tunnel Junctions and Interlayer Exchange CouplingInproceedings Konferenzbeitrag 2024
9Bendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, W. ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Investigating Reliability Issues in Multi-Layered STT-MRAM with Synthetic AntiferromagnetsInproceedings Konferenzbeitrag 2024
10Pruckner, Bernhard ; Jorstad, Nils Petter ; Bendra, Mario ; Hadamek, Tomas ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Simulation of Advanced MRAM Devices for sub-ns SwitchingInproceedings Konferenzbeitrag 2024
11Bendra, Mario ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Simulation of SAF-Enhanced Multilayered STT-MRAM StructuresInproceedings Konferenzbeitrag 2024
12Jorstad, Nils Petter ; Pruckner, Bernhard ; Bendra, Mario ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Modeling Advanced Perpendicular MRAM Cells: Generating Spin Currents for Fast Field-free Cell SwitchingInproceedings Konferenzbeitrag 2024
13Bendra, Mario ; Jorstad, Nils Petter ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Unified Modeling of Ultra-Scaled STT-MRAM Cells: Harnessing Parasitic Effects for Enhanced Data Storage DynamicsInproceedings Konferenzbeitrag 9-Dec-2023
14Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Jorstad, Nils Petter ; Pruckner, Bernhard ; Hadamek, Tomas ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Multi-bit Operation in an MRAM Cell with a Composite Free LayerInproceedings Konferenzbeitrag 3-Dec-2023
15Jorstad, Nils Petter ; Hadamek, Tomas ; Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Pruckner, Bernhard ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Numerical Simulations of Spintronic Magnetoresistive MemoriesInproceedings Konferenzbeitrag26-Oct-2023
16Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Pruckner, Bernhard ; Jorstad, Nils Petter ; Hadamek, Tomas ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Gös, Wolfgang Spin and Charge Transport in Ultra-Scaled MRAM CellsInproceedings Konferenzbeitrag Oct-2023
17Bendra-2023-Solid-State Electronics-vor.pdf.jpgBendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Gös, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor A multi-level cell for ultra-scaled STT-MRAM realized by back-hoppingArticle Artikel Oct-2023
18Bendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Modeling of Ultra-Scaled Magnetoresistive Random Access MemoryInproceedings Konferenzbeitrag Sep-2023
19Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Pruckner, Bernhard ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Comprehensive Modeling of Advanced Composite Magnetoresistive DevicesInproceedings Konferenzbeitrag Sep-2023
20Sverdlov, Viktor ; Jorstad, Nils Petter ; Bendra, Mario ; Hadamek, Tomas ; Goes, Wolfgang Modeling Emerging Spintronic Devices and Spintronic THz EmittersInproceedings Konferenzbeitrag Sep-2023