Datensatz Zitierlink: 
https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-11422
http://hdl.handle.net/20.500.12708/12174
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Titel: 
Physical modeling of electron transport in strained silicon and silicon-germanium
en
Zitat: 
Smirnov, S. (2003). Physical modeling of electron transport in strained silicon and silicon-germanium [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-11422
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CatalogPlus: 
AC04082352
-
Publikationstyp: 
Hochschulschrift - Dissertation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Smirnov, Sergey 
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Betreuer_in: 
Kosina, Hans
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Mitbetreuer_innen: 
Selberherr, Siegfried
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Datum (veröffentlicht): 
2003
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Umfang: 
122
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Keywords: 
Halbleiterschicht; Silicium; Germanium; Elektronentransport
de
Weitere Information: 
Zsfassung in dt. Sprache
-
Lizenz: 
Urheberrechtsschutz
de
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Thesis

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