Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/136442
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Titel: 
Simulating transport properties of narrow-gap semiconductors
en
Zitat: 
Tomczak, J. M. (2022, August 24). Simulating transport properties of narrow-gap semiconductors [Conference Presentation]. PSI-K CONFERENCE / Lausanne, Lausanne, Switzerland.
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Publikationstyp: 
Vortrag - Konferenz Präsentation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Tomczak, Jan Martin 
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Organisations­einheit: 
E138-01 - Forschungsbereich Computational Materials Science 
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Datum (veröffentlicht): 
24-Aug-2022
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Veranstaltungs­name: 
PSI-K CONFERENCE / Lausanne 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
22-Aug-2022 - 25-Aug-2022
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Veranstaltungs­ort: 
Lausanne, Schweiz
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Keywords: 
transport properties; correlated electrons; semiconductors
en
Forschungs­infrastruktur: 
Vienna Scientific Cluster 
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Projekttitel: 
Transportsimulationen korrelierter Materialien: P 30213-N36 (Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung (FWF)) 
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Link (extern): 
https://emmc.eu/psi-k-conference-2022/
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Forschungs­schwerpunkte: 
Computational Materials Science: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
1030 - Physik, Astronomie: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Presentation

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