Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/136907
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Titel: 
Performance Analysis of 4H-SiC Pseudo-D CMOS Inverter Circuits Employing Physical Charge Trapping Models
en
Zitat: 
Waltl, M., Hernandez Barrios, Y., Schleich, C., Waschneck, K., Stampfer, B., Reisinger, H., & Grasser, T. (2022). Performance Analysis of 4H-SiC Pseudo-D CMOS Inverter Circuits Employing Physical Charge Trapping Models. Materials Science Forum, 1062, 688–695. https://doi.org/10.4028/p-pijkeu
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Verlags-DOI: 
10.4028/p-pijkeu
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Publikationstyp: 
Artikel - Forschungsartikel
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Waltl, Michael 
Hernandez Barrios, Yoanlys 
Schleich, Christian 
Waschneck, Katja 
Stampfer, Bernhard 
Reisinger, Hans 
Grasser, Tibor 
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Organisations­einheit: 
E360-01 - Forschungsbereich Mikroelektronik 
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Zeitschrift: 
Materials Science Forum 
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ISSN: 
0255-5476
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Datum (veröffentlicht): 
2022
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Umfang: 
8
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Verlag: 
Trans Tech Publications Ltd.
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
Mechanical Engineering; Mechanics of Materials; Condensed Matter Physics; General Materials Science
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik
Nanotechnologie
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