Forschungsbereich Mikroelektronik

Organization Name (de) Name der Organisation (de)
E360-01 - Forschungsbereich Mikroelektronik
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Research Division
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PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Filipovic-2021-Microelectronics Reliability-vor.pdf.jpgFilipovic, Lado Theoretical examination of thermo-migration in novel platinum microheatersArticle Artikel Aug-2021
2Hadámek, Tomás ; Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Temperature increase in STT-MRAM at writing: A fully three-dimensional finite element approachKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
3Wilhelmer, Christoph ; Jech, Markus ; Waldhoer, Dominic ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Cvitkovich, Lukas ; Grasser, Tibor Statistical Ab Initio Analysis of Electron Trapping Oxide Defects in the Si/SiO<sub>2</sub> NetworkKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
4Fiorentini, Simone ; Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Spin and Charge Drift-Diffusion in Ultra-Scaled MRAM CellsKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
5Cvitkovich, Lukas ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Wilhelmer, Christoph ; Grasser, Tibor Multiscale Modeling Study of Native Oxide Growth on a Si(100) SurfaceKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
6Vasilev, Alexander ; Jech, Markus ; Grill, Alexander ; Rzepa, Gerhard ; Schleich, Christian ; Makarov, Alexander ; Pobegen, Gregor ; Grasser, Tibor ; Waltl, Michael ; Tyaginov, Stanislav Modeling the Hysteresis of Current-Voltage Characteristics in 4H-SiC TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
7Knobloch-2022-Nature Electronics-vor.pdf.jpgKnobloch, Theresia ; Uzlu, Burkay ; Illarionov, Yury ; Wang, Zhenxing ; Otto, Martin ; Filipovic, Lado ; Waltl, Michael ; Neumaier, Daniel ; Lemme, Max Christian ; Grasser, Tibor Improving stability in two-dimensional transistors with amorphous gate oxides by Fermi-level tuningArticle Artikel Jun-2022
8Ender-2021-Microelectronics Reliability-vor.pdf.jpgEnder, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Goes, W. ; Sverdlov, Viktor Improving failure rates in pulsed SOT-MRAM switching by reinforcement learningArticle Artikel Nov-2021
9Waltl-2021-Microelectronics Reliability-vor.pdf.jpgWaltl, Michael ; Waldhör, Dominic ; Tselios, Konstantinos ; Stampfer, Bernhard ; Schleich, Christian ; Rzepa, Gerhard ; Enichlmair, Hubert ; Ioannidis, Eleftherios G. ; Minixhofer, Rainer ; Grasser, Tibor Impact of single-defects on the variability of CMOS inverter circuitsArticle Artikel Nov-2021
10Bendra, Mario ; Ender, Johannes ; Fiorentini, Simone ; Hadámek, Tomás ; Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Finite Element Method Approach to MRAM ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
11Michl, J. ; Grill, Alexander ; Stampfer, B. ; Waldhoer, D. ; Schleich, Christian ; Knobloch, T. ; Ioannidis, E. ; Enichlmair, H. ; Minixhofer, R. ; Kaczer, B. ; Parvais, B. ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Evidence of Tunneling Driven Random Telegraph Noise in Cryo-CMOSInproceedings Konferenzbeitrag2021
12Jørstad, Nils Petter ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Efficient Finite Element Method Approach to Model Spin Orbit Torque MRAMKonferenzbeitrag Inproceedings2021
13Ender, Johannes ; Mohamedou, Mohamed ; Fiorentini, Simone ; Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Efficient Demagnetizing Field Calculation for Disconnected Complex Geometries in STT-MRAM CellsKonferenzbeitrag Inproceedings2020
14Tselios, K. ; Stampfer, B. ; Michl, J. ; Ioannidis, E. ; Enichlmair, H. ; Waltl, M. Distribution of Step Heights of Electron and Hole Traps in SiON nMOS TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
15Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Mohamedou, Mohamed ; Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Computation of Torques in Magnetic Tunnel Junctions through Spin and Charge Transport ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2020
16Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Mohamedou, Mohamed ; Sverdlov, Viktor ; Goes, Wolfgang ; Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried Comprehensive modeling of coupled spin-charge transport and magnetization dynamics in STT-MRAM cellsKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
17Ender, Johannes ; Fiorentini, Simone ; Orio, Roberto ; Hadámek, Tomás ; Bendra, Mario ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Advanced Modeling of Emerging MRAM: From Finite Element Methods to Machine Learning ApproachesKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
18Gnam-2018-Micromachines-vor.pdf.jpgGnam, Lukas ; Manstetten, Paul ; Hössinger, Andreas ; Selberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef Accelerating Flux Calculations Using Sparse SamplingArticle Artikel 26-Oct-2018