Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/212509
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Titel: 
Simulation of Advanced MRAM Devices for sub-ns Switching
en
Zitat: 
Pruckner, B., Jørstad, N. P., Bendra, M., Hadamek, T., Wolfgang Goes, Selberherr, S., & Sverdlov, V. (2024). Simulation of Advanced MRAM Devices for sub-ns Switching. In 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), San Jose, United States of America (the). https://doi.org/10.1109/SISPAD62626.2024.10733317
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Verlags-DOI: 
10.1109/SISPAD62626.2024.10733317
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Full-Paper Contribution
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Pruckner, Bernhard 
Jørstad, Nils Petter 
Bendra, Mario 
Hadamek, Tomas 
Wolfgang Goes 
Selberherr, Siegfried 
Sverdlov, Viktor 
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Organisations­einheit: 
E360-01 - Forschungsbereich Mikroelektronik 
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Erschienen in: 
2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 
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ISBN: 
979-8-3315-1635-2
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DOI des Buches: 
10.1109/SISPAD62626.2024
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Datum (veröffentlicht): 
Okt-2024
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Veranstaltungs­name: 
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
24-Sep-2024 - 27-Sep-2024
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Veranstaltungs­ort: 
San Jose, Vereinigte Staaten von Amerika
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Umfang: 
4
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Keywords: 
Spintronics; SOT-MRAM; STT-MRAM; Sub-ns Switching
en
Projekttitel: 
CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik: P300686 (Christian Doppler Forschungsgesells) 
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 50%
Modeling and Simulation: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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