Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/156352
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Titel: 
Spin injection and diffusion in silicon based devices from a space charge layer
en
Zitat: 
Ghosh, J., Sverdlov, V., Windbacher, T., & Selberherr, S. (2014). Spin injection and diffusion in silicon based devices from a space charge layer. Journal of Applied Physics, 115(17), 17C503. https://doi.org/10.1063/1.4856056
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Verlags-DOI: 
10.1063/1.4856056
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Publikationstyp: 
Artikel - Forschungsartikel
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Ghosh, Joydeep 
Sverdlov, Viktor 
Windbacher, Thomas 
Selberherr, Siegfried 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Zeitschrift: 
Journal of Applied Physics 
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ISSN: 
0021-8979
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Datum (veröffentlicht): 
7-Mai-2014
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Umfang: 
3
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Verlag: 
AMER INST PHYSICS
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
General Physics and Astronomy
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Forschungs­schwerpunkte: 
Modelling and Simulation: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik
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Enthalten in den Sammlungen:
Article

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