Haas, P. (2007). Investigation of implantations in SiGe with TOF-SIMS [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. http://hdl.handle.net/20.500.12708/181925
Untersucht wurden Bor und Fluor Implantationen in SiGe-Matrices. Die Messergebnisse werden vom Institut für Mikroelektronik (TU-WIEN), im Rahmen eines FWF-Projektes verwendet, um die semi-empierischen Algorithmen eines Simulationsprogrammes auf diesen Halbleitertyp anzupassen.