Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/193502
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Titel: 
Charge and Spin Transport in Semiconductor Devices
en
Zitat: 
Sverdlov, V., & Selberherr, S. (2023). Charge and Spin Transport in Semiconductor Devices. In 2023 IEEE 15th International Conference on ASIC (ASICON) (pp. 1–4). https://doi.org/10.1109/ASICON58565.2023.10396645
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Verlags-DOI: 
10.1109/ASICON58565.2023.10396645
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Full-Paper Contribution
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Sverdlov, Viktor 
Selberherr, Siegfried 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Erschienen in: 
2023 IEEE 15th International Conference on ASIC (ASICON) 
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ISBN: 
979-8-3503-1298-0
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Datum (veröffentlicht): 
24-Okt-2023
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Veranstaltungs­name: 
IEEE International Conference on ASIC (ASICON) 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
24-Okt-2023 - 27-Okt-2023
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Veranstaltungs­ort: 
Nanjing, China
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Umfang: 
4
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
charge and spin currents; TCAD; digital spintronics; SpinFET; SpinMOSFET; STT-MRAM; SOT-MRAM
en
Projekttitel: 
CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik: P300686 (Christian Doppler Forschungsgesells) 
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 50%
Modeling and Simulation: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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