Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/196185
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Titel: 
High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits
en
Zitat: 
Knobloch, T., Selberherr, S., & Grasser, T. (2023). High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits. ECS Transactions, 111(1), 219–228. https://doi.org/10.1149/11101.0219ecst
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Verlags-DOI: 
10.1149/11101.0219ecst
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Publikationstyp: 
Artikel - Review-Artikel
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Knobloch, Theresia 
Selberherr, Siegfried 
Grasser, Tibor 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Zeitschrift: 
ECS Transactions 
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ISSN: 
1938-5862
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Datum (veröffentlicht): 
19-Mai-2023
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Umfang: 
10
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Verlag: 
The Electrochemical Society
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
2D materials; VLSI circuits; FETs; nanosheet
en
Projekttitel: 
Fluoride für die nächste Generation von 2D Nanoelektronik: 101021351 (European Commission) 
Voll gekoppelte Fluid-Struktur-Kontakt-Simulationen für den Spanabtrag: 439919057 (Deutsche Forschungsgemeinschaft e.V) 
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 90%
Modeling and Simulation: 10%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Article

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