Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/196193
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Titel: 
Multi-bit Operation in an MRAM Cell with a Composite Free Layer
en
Zitat: 
Sverdlov, V., Bendra, M., Jorstad, N. P., Pruckner, B., Hadamek, T., Goes, W., & Selberherr, S. (2023). Multi-bit Operation in an MRAM Cell with a Composite Free Layer. In 2023 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems: Book of Abstracts (pp. 143–144).
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Beitrag in einem Abstract Book
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Sverdlov, Viktor 
Bendra, Mario 
Jorstad, Nils Petter 
Pruckner, Bernhard 
Hadamek, Tomas 
Goes, Wolfgang 
Selberherr, Siegfried 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Erschienen in: 
2023 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems: Book of Abstracts 
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ISBN: 
978-3-9504738-6-5
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Datum (veröffentlicht): 
3-Dez-2023
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Veranstaltungs­name: 
2023 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
3-Dez-2023 - 8-Dez-2023
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Veranstaltungs­ort: 
Kona, Hawaii, Vereinigte Staaten von Amerika
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Umfang: 
2
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
MRAM; spin-transfer torque
en
Projekttitel: 
CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik: P300686 (Christian Doppler Forschungsgesells) 
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 50%
Modeling and Simulation: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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