Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/208172
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Titel: 
Investigation of electrically active dislocations in quasi-vertical GaN-on-Si diodes
en
Zitat: 
Stabentheiner M, Novak M, Taylor, A. A., Knuuttila L., Jamnig A., Pogany, D., & Ostermaier, C. (2024, November 7). Investigation of electrically active dislocations in quasi-vertical GaN-on-Si diodes [Conference Presentation]. International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), O’ahu, United States of America (the).
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Publikationstyp: 
Vortrag - Konferenz Präsentation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Stabentheiner M 
Novak M 
Taylor, A.A. 
Knuuttila L. 
Jamnig A. 
Pogany, Dionyz 
Ostermaier, Clemens 
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Organisations­einheit: 
E362-02 - Forschungsbereich Nanoelektronische Bauelemente 
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Datum (veröffentlicht): 
7-Nov-2024
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Veranstaltungs­name: 
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024) 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
3-Nov-2024 - 8-Nov-2024
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Veranstaltungs­ort: 
O’ahu, Vereinigte Staaten von Amerika
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Keywords: 
GaN; diodes; silicon
en
Forschungs­schwerpunkte: 
Materials Characterization: 50%
Surfaces and Interfaces: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Presentation

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