Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/212125
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Titel: 
Cluster-based model for dopant activation in SiC
en
Zitat: 
Bamer, B., Hoessinger, A., & Filipovic, L. (2024). Cluster-based model for dopant activation in SiC. In MESS24: Microelectronic Systems Symposium (pp. 47–47). http://hdl.handle.net/20.500.12708/212125
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Beitrag in einem Abstract Book
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Bamer, Balazs 
Hoessinger, Andreas 
Filipovic, Lado 
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Organisations­einheit: 
E360-01 - Forschungsbereich Mikroelektronik 
E056-04 - Fachbereich TU-DX: Towards Applications of 2D Materials 
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Erschienen in: 
MESS24: Microelectronic Systems Symposium 
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ISBN: 
978-3-903249-24-0
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Band: 
112
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Datum (veröffentlicht): 
2024
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Veranstaltungs­name: 
MESS24: Microelectronic Systems Symposium 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
6-Jun-2024 - 7-Jun-2024
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Veranstaltungs­ort: 
Vienna, Österreich
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Umfang: 
1
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Keywords: 
Ion Implantation; MaxLIPO+TR Optimizer; Silicon Carbide (SiC)
en
Projekttitel: 
Multi-Scale-Prozessmodellierung von Halbleiter-Bauelemente und -Sensoren: 00000 (Christian Doppler Forschungsgesells) 
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Forschungs­schwerpunkte: 
Modeling and Simulation: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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