Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/213234
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Titel: 
Multifunctional Si and Ge based Schottky Barrier Field-Effect Transistors
en
Zitat: 
Sistani, M., Fuchsberger, A., Behrle, R., Wind, L., Nazzari, D., Aberl, J., Prado Navarrete, E., Brehm, M., Vogl, L., Schweizer, P., Lellig, S., Maeder Xavier, & Weber, W. M. (2025, February 14). Multifunctional Si and Ge based  Schottky Barrier Field-Effect Transistors [Conference Presentation]. 23rd International Winterschool on New Developments in Solid State Physics, Mauterndorf, Austria. http://hdl.handle.net/20.500.12708/213234
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Publikationstyp: 
Vortrag - Konferenz Präsentation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Sistani, Masiar 
Fuchsberger, Andreas 
Behrle, Raphael 
Wind, Lukas 
Nazzari, Daniele 
Aberl, Johannes 
Prado Navarrete, Enrique 
Brehm, Moritz 
Vogl, Lilian 
Schweizer, Peter 
Lellig, Sebastian 
Maeder Xavier 
Weber, Walter Michael 
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Organisations­einheit: 
E362-02 - Forschungsbereich Nanoelektronische Bauelemente 
E057-12 - Fachbereich Zentrum für Mikro und Nanostrukturen 
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Datum (veröffentlicht): 
14-Feb-2025
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Veranstaltungs­name: 
23rd International Winterschool on New Developments in Solid State Physics 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
9-Feb-2025 - 14-Feb-2025
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Veranstaltungs­ort: 
Mauterndorf, Österreich
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Keywords: 
Schottky barrier; transistors; Ge; SOI; field-effect transistors
en
Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Presentation

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