Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/218196
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Titel: 
Modeling Advanced Magnetoresistive Devices
en
Zitat: 
Sverdlov, V. (2024). Modeling Advanced Magnetoresistive Devices. In Speakers SiNANO Summer School & IEEE MQ (pp. 1–1).
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Beitrag in einem Abstract Book
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Sverdlov, Viktor 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Erschienen in: 
Speakers SiNANO Summer School & IEEE MQ 
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Datum (veröffentlicht): 
Okt-2024
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Veranstaltungs­name: 
SiNANO summer school and IEEE MQ 
en
Veranstaltungs­zeitraum: 
1-Okt-2024 - 2-Okt-2024
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Veranstaltungs­ort: 
Gießen, Deutschland
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Umfang: 
1
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Keywords: 
STT-MRAM; SOT-MRAM; FEM-based modeling
en
Projekttitel: 
CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik: P300686 (Christian Doppler Forschungsgesells) 
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Weitere Information: 
Abstract book Link: https://www.thm.de/kompetenzzentren/en/nanop/cooperations/summer-school-2024/speakers.html#dr-viktor-sverdlov Conference Website: https://www.thm.de/kompetenzzentren/en/nanop/cooperations/summer-school-2024.html
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 50%
Modeling and Simulation: 50%
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Wissenschafts­zweig: 
2020 - Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik: 100%
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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